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PDF 2SD780 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 2SD780 | |
| Descripción | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | |
| Fabricantes | WEJ | |
| Logotipo |  |
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RoHS
2SD780/2SD780A
SOT-23-3L
2SD780/2SD780A DFEATURES
Power dissipation
TRANSISTOR (NPN)
1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
TPCM: 0.2 W (Tamb=25℃)
.,LCollector current
ICM: 0.3
Collector-base voltage
A
OV(BR)CBO:
V(BR)CBO:
60 V 2SD780
80 V 2SD780A
COperating and storage junction temperature range
TJ, Tstg: -55℃ to +150℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)
ICParameter
Symbol
Test conditions
MIN
NCollector-base breakdown voltage
OCollector-emitter breakdown voltage
V(BR)CBO
V(BR)CEO
Ic=0.1mA, IE=0
Ic=1mAIB=0
2SD780
2SD780A
2SD780
2SD780A
60
80
60
80
Emitter-base breakdown voltage
V(BR)EBO
IE=0.1mA, IC=0
5
RCollector cut-off current
ICBO VCB=50V, IE=0
TEmitter cut-off current
IEBO VEB=5V, IC=0
ECDC current gain
hFE(1)
hFE(2)
VCE=1V, IC=50mA
VCE=2V, IC=300mA
110
30
LCollector-emitter saturation voltage
VCE(sat)
IC=300mA, IB=30mA
Base-emitter voltage
VBE
VCE=6V, IC=10mA
0.6
ETransition frequency
fT VCE=6V, IC=10mA
JCollector output capacitance
Cob VCB=6V, IE=0, f=1MHz
2. 80¡ À0. 05
1. 60¡ À0. 05
TYP MAX UNIT
V
V
V
0.1 µA
0.1 µA
400
0.6 V
0.7 V
140 MHz
7 pF
ECLASSIFICATION OF hFE(1)
W Rank
Range
110-180
135-220
170-270
200-320
250-400
Marking
2SD780
2SD780A
DW1
D51
DW2
D52
DW3
D53
DW4
D54
DW5
D55
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 2SD780 | AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |  NEC |
| 2SD780 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | WEJ |
| 2SD780A | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | WEJ |
| 2SD780A | AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR | NEC |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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