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PDF 2SC4097 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 2SC4097 | |
| Descripción | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | |
| Fabricantes | WEJ | |
| Logotipo |  |
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RoHS
2SC4097
2SC4097 TRANSISTOR(NPN)
DFEATURES
Power dissipation
TPCM:
200 mW (Tamb=25℃)
.,LCollector current
ICM: 500
Collector-base voltage
mA
OV(BR)CBO:
40 V
Operating and storage junction temperature range
CTJ, Tstg: -55℃ to +150℃
SOT-323
1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
1. 25¡ À0. 05
2. 30¡ À0. 05
Unit: mm
ICELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
NCollector-base breakdown voltage
OCollector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
RCollector cut-off current
TEmitter cut-off current
CDC current gain
ECollector-emitter saturation voltage
Transition frequency
LCollector output capacitance
Symbol
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ICBO
IEBO
hFE(1)
VCE(sat)
fT
Cob
Test conditions
Ic=100µA, IE=0
Ic=1mA, IB=0
IE=100µA, IC=0
VCB=20V, IE=0
VEB=4V, IC=0
VCE=3V, IC=10mA
IC=100mA, IB=10mA
VCE=5V, IC=20mA, f=100MHz
VCB=10V, IE=0, f=1MHz
MIN TYP MAX UNIT
40 V
32 V
5V
1 µA
1 µA
82 390
0.4 V
250 MHz
6 pF
ECLASSIFICATION OF hFE(1)
JRank
ERange
WMarking
P
82-180
CP
Q
120-270
CQ
R
180-390
CR
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| PDF Descargar | [ Datasheet 2SC4097.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 2SC4092 | HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD |  NEC |
| 2SC4093 | MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD | NEC |
| 2SC4093-T1 | MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD | NEC |
| 2SC4093-T2 | MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD | NEC |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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