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PDF 2SK3150L Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 2SK3150L | |
| Descripción | Silicon N Channel MOS FET | |
| Fabricantes | Renesas | |
| Logotipo |  |
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2SK3150(L), 2SK3150(S)
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
Features
• Low on-resistance
RDS =45 mΩ typ.
• High speed switching
• 4 V gate drive device can be driven from 5 V source
Outline
REJ03G1075-0400
(Previous: ADE-208-750B)
Rev.4.00
Sep 07, 2005
RENESAS Package code: PRSS0004AE-A
(Package name: LDPAK(L))
4
RENESAS Package code: PRSS0004AE-B
(Package name: LDPAK(S)-(1))
4
G
D
12
3
123
S
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
Rev.4.00 Sep 07, 2005 page 1 of 8
1 page  
2SK3150(L), 2SK3150(S)
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
20
Pulse Test
16
12 10 V
8 5V
Maximum Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
50
IAP = 20 A
40 VDD = 50 V
duty < 0.1 %
Rg > 50 Ω
30
20
4
VGS = 0, –5 V
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
Source to Drain Voltage VSD (V)
10
0
25 50 75 100 125 150
Channel Temperature Tch (°C)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
3
1
D=1
Tc = 25°C
0.5
0.3
0.2
0.1
0.03
0.1
0.05
0.02
0.011shot
pulse
0.01
10 µ
100 µ
θch – c(t) = γ s (t) • θ ch – c
θch – c = 2.5°C/W, Tc = 25°C
PDM
PW
T
D=
PW
T
1m
10 m
100 m
Pulse Width PW (S)
1
10
Vin
15 V
Avalanche Test Circuit
VDS
Monitor
Rg
L
IAP
Monitor
D. U. T
50 Ω
VDD
Avalanche Waveform
EAR =
1
2
• L • IAP2 •
VDSS
VDSS – VDD
IAP
ID
V(BR)DSS
VDS
VDD
0
Rev.4.00 Sep 07, 2005 page 5 of 8
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 2SK3150 | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |  Hitachi Semiconductor |
| 2SK3150 | Silicon N Channel MOS FET | Renesas |
| 2SK3150L | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | Hitachi Semiconductor |
| 2SK3150L | Silicon N Channel MOS FET | Renesas |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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