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FB15R06KL4B1 Schematic ( PDF Datasheet ) - eupec GmbH

Teilenummer FB15R06KL4B1
Beschreibung IGBT Module
Hersteller eupec GmbH
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Gesamt 13 Seiten
FB15R06KL4B1 Datasheet, Funktion
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FB15R06KL4B1
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Diode Gleichrichter/ diode rectifier
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Tvj =25°C
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert pro Chip
RMS forward current per chip
TC =80°C
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom
maximum RMS current at Rectifier output
Stoßstrom Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I2t - value
TC =80°C
tP = 10 ms,
tP = 10 ms,
tP = 10 ms,
tP = 10 ms,
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
Transistor Wechselrichter/ transistor inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Tvj =25°C
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
TC =65°C
TC = 25 °C
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
tP = 1 ms,
TC =65°C
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
TC = 25°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Wechselrichter/ diode inverter
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral
I2t - value
tP = 1 ms
VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C
Transistor Brems-Chopper/ transistor brake-chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Tvj =25°C
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
TC =65 °C
TC = 25 °C
tP = 1 ms,
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
TC = 25°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
TC =65°C
Diode Brems-Chopper/ diode brake-chopper
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tP = 1 ms
prepared by: Thomas Passe
approved by: R. Keggenhoff
date of publication: 2003-03-26
revision: 2.1
Vorläufig
preliminary
VRRM
IFRMSM
IRMSmax
IFSM
I2t
VCES
IC,nom.
IC
ICRM
Ptot
VGES
IF
IFRM
I2t
VCES
IC,nom.
IC
ICRM
Ptot
VGES
IF
IFRM
800
58
50
448
358
1000
642
600
15
19
30
60
+/- 20V
15
30
25
600
15
19
30
60
+/- 20V
15
30
V
A
A
A
A
A2s
A2s
V
A
A
A
W
V
A
A
A2s
V
A
A
A
W
V
A
A
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FB15R06KL4B1 Datasheet, Funktion
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FB15R06KL4B1
Übertragungscharakteristik Wechselr. (typisch)
transfer characteristic inverter (typical)
30
Tj = 25°C
25 Tj = 25°C
IC = f (VGE)
VCE = 20 V
20
15
10
5
0
6,00
7,00
8,00
9,00
10,00
11,00
VGE [V]
Vorläufig
preliminary
12,00
13,00
Durchlaßkennlinie der Freilaufdiode Wechselr. (typisch) IF = f (VF)
forward characteristic of FWD inverter (typical)
30
Tj = 25°C
Tj = 125°C
25
20
15
10
5
0
0,00
0,50
1,00
1,50
2,00
2,50
VF [V]
3,00
6(12)

6 Page









FB15R06KL4B1 pdf, datenblatt
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FB15R06KL4B1
Gehäuseabmessungen Forts. / package outlines contd.
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes
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SeitenGesamt 13 Seiten
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Besondere Datenblatt

TeilenummerBeschreibungHersteller
FB15R06KL4B1IGBT Moduleeupec GmbH
eupec GmbH

TeilenummerBeschreibungHersteller
CD40175BC

Hex D-Type Flip-Flop / Quad D-Type Flip-Flop.

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
KTD1146

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR.

KEC
KEC


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