(PDF) 3DA2396 Datasheet - SILICON NPN TRANSISTOR

Número de pieza	3DA2396
Descripción	SILICON NPN TRANSISTOR
Fabricantes	FOSHAN BLUE ROCKET
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No Preview Available ! 2SD2396(3DA2396) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途: 用于低频率功率放大。 Purpose: Low frequency power amplifier. 特点:直流电流增益高,饱和压降低,集电极耗散功率大,,安全工作区宽。 Features: High DC current gain),low VCE(sat),large collector power dissipation,wide SOA. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号数值单位 Symbol Rating Unit VCBO 80 V VCEO 60 V VEBO 6.0 V IC 3.0 A ICP 6.0 A PC(Ta=25℃) 2.0 W PC(Tc=25℃) 30 W Tj 150 ℃ Tstg -55～150 ℃ 电性能参数/Electrical characteristics(Ta=25℃) 参数符号 Symbol VCBO VCEO VEBO ICBO IEBO hFE VCE(sat) VBE(sat) fT Cob 测试条件 Test condition IC=50μA IC=1.0mA IE=50μA VCB=80V IE=0 VEB=6.0V IC=0 VCE=4.0V IC=500mA IC=2.0A IB=0.05A IC=2.0A IB=0.05A VCE=5.0V IC=0.2A f=10MHz VCB=10V IE=0 f=1.0MHz 最小值 Min 80 60 6.0 400 数值 Rating 典型值 Typ 1000 0.3 40 55 最大值 Max 100 100 2000 0.8 1.5 单位 Unit μA μA V V MHz pF hFE 分档/hFE Classifications: H: 400～800 J: 600～1200 K: 1000～2000 佛山市蓝箭电子股份有限公司 FOSHAN BLUE ROCKET ELECTRONICS CO., LTD. 1 page

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Número de pieza	Descripción	Fabricantes
SLA6805M	High Voltage 3 phase Motor Driver IC.	Sanken
SDC1742	12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.	Analog Devices

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