LN9T15B Schematic ( PDF Datasheet ) - Lii Semiconductor

Teilenummer	LN9T15B
Beschreibung	Application Guide and peripheral device design
Hersteller	Lii Semiconductor
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Gesamt 1 Seiten 澎湃驱动力 源于力生美 padg-1002 应用指南 V1.0.0 LN9T15A/B 应用指南与外围器件设计 一、概述 LN9T15A/B 是专门设计用于高性能开关电源适配器的高压集成功率控制器集成电路，内 部包括 PWM 控制器、高压功率开关、高压启动恒流源、内部时钟发生器等电路，芯片还集成 了完善的保护控制电路，可对输出过载、输出短路、反馈开路、电网过压、电网欠压、电路 过热等多种异常进行快速保护，避免产生严重损坏故障。 在电路启动时，芯片会首先检测电网电压是否低于设定水平，若低于指定水平芯片将禁 止电路进入启动状态直至电网电压达到设定水平，而在正常工作时若电网电压高于设定上限 电路将快速关断输出直至电压恢复到正常水平；在输出过载、短路或反馈开环超过指定的时 间后芯片将会切断输出并重置电路的重启动状态并再次检测输出状态，若过载或短路等故障 解除电路将自动进入正常工作状态；若芯片因为异常而过热到指定的温度，电路将快速关断 输出直至温度下降到恢复保护温度值，具有迟滞的温度保护特性避免了热抖动现象发生。 高集成度的设计极大地减少的外围器件的数量，芯片总有效引脚仅为 5 个，高低压引脚 分别位于芯片的两侧（仅 LN9T15B）的结构彻底解决了高低压距离不足的弊端，PCB 布线因 而变得极其容易，避免了飞狐放电导致的损坏同时也极大提高了芯片的潮湿适应能力。 通过在芯片高压脚铺设一定面积的 PCB 铜箔，即可方便地在满足温升要求的条件下实现 所需的散热要求，无需额外使用散热片等辅助措施，降低了使用难度的同时也大幅减低电源 成本。 芯片在 85-265Vac 的全球电网条件下可满足不小于 12W 的输出功率设计要求，在散热 条件较好时亦可实现不小于 15W 的功率输出能力，可方便地设计出具有非常高的竞争力的高 性能电源产品，具有极强的综合优势。 可提供满足欧洲环保要求的绿色封装形式。 可提供标准的 DIP8 封装。 力 生 美 产 品 应 用 指 南 二、引脚定义与引脚功能 LN9T15A © Copyright 2010 Lii Semiconductor Devices LLC. 1 LN9T15B www.liisemi.com
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Besondere Datenblatt

Teilenummer	Beschreibung	Hersteller
LN9T15A	Application Guide and peripheral device design	Lii Semiconductor
LN9T15B	Application Guide and peripheral device design	Lii Semiconductor

Teilenummer	Beschreibung	Hersteller
CD40175BC	Hex D-Type Flip-Flop / Quad D-Type Flip-Flop.	Fairchild Semiconductor
KTD1146	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR.	KEC