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Teilenummer | SH367003 |
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Beschreibung | Battery protection IC | |
Hersteller | Sino Wealth Microelectronic | |
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Gesamt 21 Seiten SH367003
3/4节电池串联用电池保护IC
特性
通过SEL端口实现3/4节电池串联应用切换
3档放电过流检测功能
高精度电压 (针对每节电池) 检测功能
高电压模式 (适用于液态锂离子电池/聚合物锂离子电池等)
- 过充检测电压: 3.9V to 4.4V
(档位间隔50mV) 精度: ±25mV
- 过充解除电压: 3.8V to 4.4V
精度: ±50mV
- 放电过电流保护1: 0.05V to 0.3V
(档位间隔50mV) 精度: ±25mV
- 放电过电流保护2: 0.5V
精度: ±100mV
- 放电过电流保护3: VC1-1.2V
精度: ±300mV
- 过放电检测电压: 2.0V to 3.0V
(档位间隔100mV) 精度: ±80mv
- 过放电解除电压: 2.0V to 3.4V
精度: ±100mV
低电压模式 (适用于磷酸铁锂电池等)
- 过充检测电压: 3.4V to 3.9 V
(档位间隔50mV) 精度: ±25mV
- 过充解除电压: 3.3V to 3.9V
精度: ±50mV
- 过放电检测电压: 1.8V to 2.8V
(档位间隔100mV) 精度: ±80mV
通过外接电容预设过充电检测延时时间, 过放电检测延时
时间, 放电过电流保护1延时时间
放电过电流保护2和放电过电流保护3延时时间内部固定
通过CTL端口优先控制充放电端口
宽工作电压范围: 3V - 24V
宽工作温度范围: -40°C - 85°C
低功耗:
- 工作模式: 16μA (典型值)
- 休眠模式: 1.5μA (典型值)
封装形式: 16-pin TSSOP
- 过放电解除电压: 1.8V to 3.2V
精度: ±100mV
注释1: 过充电迟滞电压n (n = 1 - 4) 可选择为0V或在0.1V to 0.4V范围内以50mV为一档位选择。
(过充电迟滞电压 =过充电检测电压 - 过充解除电压)
注释2: 过放电迟滞电压n (n = 1 - 4) 可选择为0V或在0.2V to 0.7V范围内以100mV为一档位选择。
(过充电迟滞电压 = 过放电解除电压 - 过放电检测电压)
概述
SH367003系列产品是用于3节或者4节串联可充电锂电池保护的IC, 能够提供高精度过充电保护电压, 过放电电压保护
以及放电过电流保护。SH367003的过充电保护延时, 过放电保护延时和放电过电流1的延时可以通过外接电容调整。
SH367003具备宽温度工作范围和宽电压工作范围, 其特有的低电压模式兼容铁锂电池应用。
1 V2.0
SH367003
7. 延时时间设定
过充电延时时间 (tCD)由连接在 CHD 端口上的电容决定,过放电延时时间 (tDD) 和放电过电流 1 延时时间 (tID1) 由连接在
DSD 端口上的电容决定, 放电过电流 2 和放电过电流 3 的延时时间 (tID2 和 tID3) 由 IC 内部固定。
8. CTL端口
CTL 端口用于控制 CHG 端口和 DSG 端口的输出电压, CTL 端口控制优先级高于电池保护电路。
CTL
高电平
悬空
低电平
DSG
VDD
VDD
正常
CHG
高阻
高阻
正常
9. SEL端口
SEL 端口用于 3 串或者 4 串电池串联保护的切换。当 SEL 端口输入低电平, 第 4 节电池的过放电检测被禁止, 即使第四
节电池短路也不会被认为是过放电状态, 所以可以用作 3 节电池串联电路的保护。SEL 端口控制优先级高于电池保护电路,
SEL 端口只能输入低电平或高电平, 不能处于悬空状态。
SEL
高电平
状态
保护 4 串电池
悬空
禁止使用
低电平
保护 3 串电池
6 V2.0
6 Page SH367003
直流电气特性
(TA = 25C, 除特殊说明)
符号
参数
最小值 典型值 最大值 单位
测试条件
VCV 过充电检测电压
VCRV 过充电解除电压
VDV 过放电检测电压
VDRV 过放电解除电压
3.9 4.4 V 高电压模式
3.4 3.9 低电压模式
3.8 4.4 V 高电压模式
3.3 3.9 低电压模式
2.0 3.0 V 高电压模式
1.8 2.8 低电压模式
2.0 3.4 V 高电压模式
1.8 3.2 低电压模式
每一档位50mV
每一档位100mV
VIV1 放电过电流1检测电压
VDD 工作电压
ICC 工作电流
0.05 0.3 V 每一档位50mV
3 - 24 V CHG和DSG输出状态确定
16
30
μA
V1=V2=V3=V4=3.5V
(低电压模式: V1=V2=V3=V4=3.2V), 在GND测量
IPD 休眠电流
1.5 μA V1=V2=V3=V4=1.5V
VOCA 过充电电压检测精度
25 mV
VOCRA 过充电解除电压精度
50 mV VCRV ≠ VCV
25
VCRV = VCV
VODA 过放电电压检测精度
80 mV
VODRA 过放电解除电压精度
100 mV VDRV ≠ VDV
80
VDRV = VDV
VIDA 放电过电流1电压检测精度
25 mV
VIV2 放电过电流2检测电压
0.4 0.5 0.6 V
VIV3 放电过电流3检测电压
VVC1 VVC1 VVC1
-1.5 -1.2 -0.9
V
TCO 过充电温度系数
TDO 放电过电流1温度系数
tCD 过充电延时时间
tDD 过放电延时时间
tID1 放电过电流1延时时间
-1.0 0 1.0 mV/C TA = 0C -50C
-0.5 0 0.5 mV/C TA = 0C -50C
0.5 1 1.5 s CCHD = 0.1μF
50 100 150 ms CDSD = 0.1μF
5 10 15 ms CDSD = 0.1μF
12 V2.0
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Teilenummer | Beschreibung | Hersteller |
SH367003 | Battery protection IC | Sino Wealth Microelectronic |
SH367004 | Section 3/4/5 lithium battery protection chip package | Sino Wealth Microelectronic |
Teilenummer | Beschreibung | Hersteller |
CD40175BC | Hex D-Type Flip-Flop / Quad D-Type Flip-Flop. |
Fairchild Semiconductor |
KTD1146 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR. |
KEC |
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