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SH367003 Schematic ( PDF Datasheet ) - Sino Wealth Microelectronic

Teilenummer SH367003
Beschreibung Battery protection IC
Hersteller Sino Wealth Microelectronic
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Gesamt 21 Seiten
SH367003 Datasheet, Funktion
SH367003
3/4节电池串联用电池保护IC
特性
通过SEL端口实现3/4节电池串联应用切换
3档放电过流检测功能
高精度电压 (针对每节电池) 检测功能
高电压模式 (适用于液态锂离子电池/聚合物锂离子电池等)
- 过充检测电压: 3.9V to 4.4V
(档位间隔50mV) 精度: ±25mV
- 过充解除电压: 3.8V to 4.4V
精度: ±50mV
- 放电过电流保护1: 0.05V to 0.3V
(档位间隔50mV) 精度: ±25mV
- 放电过电流保护2: 0.5V
精度: ±100mV
- 放电过电流保护3: VC1-1.2V
精度: ±300mV
- 过放电检测电压: 2.0V to 3.0V
(档位间隔100mV) 精度: ±80mv
- 过放电解除电压: 2.0V to 3.4V
精度: ±100mV
低电压模式 (适用于磷酸铁锂电池等)
- 过充检测电压: 3.4V to 3.9 V
(档位间隔50mV) 精度: ±25mV
- 过充解除电压: 3.3V to 3.9V
精度: ±50mV
- 过放电检测电压: 1.8V to 2.8V
(档位间隔100mV) 精度: ±80mV
通过外接电容预设过充电检测延时时间, 过放电检测延时
时间, 放电过电流保护1延时时间
放电过电流保护2和放电过电流保护3延时时间内部固定
通过CTL端口优先控制充放电端口
宽工作电压范围: 3V - 24V
宽工作温度范围: -40°C - 85°C
低功耗:
- 工作模式: 16μA (典型值)
- 休眠模式: 1.5μA (典型值)
封装形式: 16-pin TSSOP
- 过放电解除电压: 1.8V to 3.2V
精度: ±100mV
注释1: 过充电迟滞电压n (n = 1 - 4) 可选择为0V或在0.1V to 0.4V范围内以50mV为一档位选择。
(过充电迟滞电压 =过充电检测电压 - 过充解除电压)
注释2: 过放电迟滞电压n (n = 1 - 4) 可选择为0V或在0.2V to 0.7V范围内以100mV为一档位选择。
(过充电迟滞电压 = 过放电解除电压 - 过放电检测电压)
概述
SH367003系列产品是用于3节或者4节串联可充电锂电池保护的IC, 能够提供高精度过充电保护电压, 过放电电压保护
以及放电过电流保护。SH367003的过充电保护延时, 过放电保护延时和放电过电流1的延时可以通过外接电容调整。
SH367003具备宽温度工作范围和宽电压工作范围, 其特有的低电压模式兼容铁锂电池应用。
1 V2.0






SH367003 Datasheet, Funktion
SH367003
7. 延时时间设定
过充电延时时间 (tCD)由连接在 CHD 端口上的电容决定,过放电延时时间 (tDD) 和放电过电流 1 延时时间 (tID1) 由连接在
DSD 端口上的电容决定, 放电过电流 2 和放电过电流 3 的延时时间 (tID2 tID3) IC 内部固定。
8. CTL端口
CTL 端口用于控制 CHG 端口和 DSG 端口的输出电压, CTL 端口控制优先级高于电池保护电路。
CTL
高电平
悬空
低电平
DSG
VDD
VDD
正常
CHG
高阻
高阻
正常
9. SEL端口
SEL 端口用于 3 串或者 4 串电池串联保护的切换。当 SEL 端口输入低电平, 4 节电池的过放电检测被禁止, 即使第四
节电池短路也不会被认为是过放电状态, 所以可以用作 3 节电池串联电路的保护。SEL 端口控制优先级高于电池保护电路,
SEL 端口只能输入低电平或高电平, 不能处于悬空状态。
SEL
高电平
状态
保护 4 串电池
悬空
禁止使用
低电平
保护 3 串电池
6 V2.0

6 Page









SH367003 pdf, datenblatt
SH367003
直流电气特性
(TA = 25C, 除特殊说明)
符号
参数
最小值 典型值 最大值 单位
测试条件
VCV 过充电检测电压
VCRV 过充电解除电压
VDV 过放电检测电压
VDRV 过放电解除电压
3.9 4.4 V 高电压模式
3.4 3.9 低电压模式
3.8 4.4 V 高电压模式
3.3 3.9 低电压模式
2.0 3.0 V 高电压模式
1.8 2.8 低电压模式
2.0 3.4 V 高电压模式
1.8 3.2 低电压模式
每一档位50mV
每一档位100mV
VIV1 放电过电流1检测电压
VDD 工作电压
ICC 工作电流
0.05 0.3 V 每一档位50mV
3 - 24 V CHGDSG输出状态确定
16
30
μA
V1=V2=V3=V4=3.5V
(低电压模式: V1=V2=V3=V4=3.2V), GND测量
IPD 休眠电流
1.5 μA V1=V2=V3=V4=1.5V
VOCA 过充电电压检测精度
25 mV
VOCRA 过充电解除电压精度
50 mV VCRV VCV
25
VCRV = VCV
VODA 过放电电压检测精度
80 mV
VODRA 过放电解除电压精度
100 mV VDRV VDV
80
VDRV = VDV
VIDA 放电过电流1电压检测精度
25 mV
VIV2 放电过电流2检测电压
0.4 0.5 0.6 V
VIV3 放电过电流3检测电压
VVC1 VVC1 VVC1
-1.5 -1.2 -0.9
V
TCO 过充电温度系数
TDO 放电过电流1温度系数
tCD 过充电延时时间
tDD 过放电延时时间
tID1 放电过电流1延时时间
-1.0 0 1.0 mV/C TA = 0C -50C
-0.5 0 0.5 mV/C TA = 0C -50C
0.5 1 1.5 s CCHD = 0.1μF
50 100 150 ms CDSD = 0.1μF
5 10 15 ms CDSD = 0.1μF
12 V2.0

12 Page





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Besondere Datenblatt

TeilenummerBeschreibungHersteller
SH367003Battery protection ICSino Wealth Microelectronic
Sino Wealth Microelectronic
SH367004Section 3/4/5 lithium battery protection chip packageSino Wealth Microelectronic
Sino Wealth Microelectronic

TeilenummerBeschreibungHersteller
CD40175BC

Hex D-Type Flip-Flop / Quad D-Type Flip-Flop.

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
KTD1146

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR.

KEC
KEC


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