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PDF BSM150GD60DLC Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | BSM150GD60DLC | |
| Descripción | IGBT Module | |
| Fabricantes | eupec | |
| Logotipo |  |
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 150 GD 60 DLC
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Tc= 55°C
Tc= 25°C
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
tP= 1ms, Tc= 55°C
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Tc= 25°C, Transistor
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tP= 1ms
Grenzlastintegral der Diode
I2t - value, Diode
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f= 50Hz, t= 1min.
VCES
IC,nom.
IC
ICRM
Ptot
VGES
IF
IFRM
I2t
VISOL
600
150
180
300
570
+/- 20V
150
300
4.800
2,5
V
A
A
A
W
V
A
A
A2s
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
IC= 150A, VGE= 15V, Tvj= 25°C
IC= 150A, VGE= 15V, Tvj= 125°C
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
IC= 3,0mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C
Eingangskapazität
input capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 25°C
VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 125°C
VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C
VCE sat
min.
-
-
typ.
1,95
2,20
max.
2,45
-
VGE(th)
4,5
5,5
6,5
V
V
V
Cies - 6,5 - nF
Cres - 0,6 - nF
- 1 500 µA
ICES
- 1 - mA
IGES
-
- 400 nA
prepared by: Andreas Vetter
approved by: Michael Hornkamp
date of publication: 2000-04-26
revision: 1
1 (8)
BSM 150 GD 60 DLC
2000-02-08
1 page  
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 150 GD 60 DLC
Übertragungscharakteristik (typisch)
Transfer characteristic (typical)
300
250
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
200
I C= f (VGE)
VCE= 20V
150
100
50
0
5 6 7 8 9 10 11 12
VGE [V]
13
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
300
250
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
200
150
100
50
0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
VF [V]
I F= f (VF)
1,2 1,4 1,6
5 (8)
BSM 150 GD 60 DLC
2000-02-08
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| BSM150GD60DLC | IGBT Module | eupec |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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