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Teilenummer | EG3014 |
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Beschreibung | Power MOS tube / IGBT gate driver chip | |
Hersteller | EGmicro | |
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Gesamt 13 Seiten EG3014芯片数据手册
大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片
2012 © 上海屹晶微电子有限公司 版权所有
REV 1.0
屹晶微电子有限公司
5. 结构框图
EG3014 芯片数据手册 V1.0
大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片
Vcc
逻辑输入
HIN 2
10K
10K
闭锁电路、
Vcc 死区时间电路
逻辑输入10K
LIN 3
10K
电脉
平冲驱
位滤动
移波
驱
动
8 VB
20
7 HO
6 VS
1 Vcc
5 LO
图 5-1. EG3014 结构框图
4 GND
6. 典型应用电路
+15V
+Vin
C1
0.1uF
HIN
LIN
Vcc
1
HIN
2
L IN
3
GND
4
U1
EG3014
VB
8
HO
7
VS
6
LO
5
D1 1N4148
R1
C3
10nF
Q1
D2 1N4148
R2
C4
10nF
Q2
C2
47uF
OUT
图 6-1. EG3014 典型应用电路图——中、小功率半桥驱动应用
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EG3014 芯片数据手册 V1.0
大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片
从真值表可知,当输入逻辑信号 HIN 为“1”和 LIN 为“0”时,驱动器控制输出 HO 为“1”上管打开,
LO 为“0”下管关断;当输入逻辑信号 HIN 为“0” 和 LIN 为“1”时,驱动器控制输出 HO 为“0”上管关断,
LO 为“1”下管打开;在输入逻辑信号 HIN 和 LIN 同时为“0”或同时为“1”情况下,驱动器控制输出 HO、
LO 为“0”将上、下功率管同时关断;内部逻辑处理器杜绝控制器输出上、下功率管同时导通,具有相互闭
锁功能。
8.3 自举电路
EG3014 采用自举悬浮驱动电源结构大大简化了驱动电源设计,只用一路电源电压 VCC 即可完成高端 N
沟道 MOS 管和低端 N 沟道 MOS 管两个功率开关器件的驱动,给实际应用带来极大的方便。EG3014 可以使用
内部自举二极管或外接一个自举二极管如图 8-3 和一个自举电容自动完成自举升压功能,假定在下管开通、
上管关断期间 C 自举电容已充到足够的电压(Vc=VCC),当 HO 输出高电平时上管开通、下管关断时,VC 自
举电容上的电压将等效一个电压源作为内部驱动器 VB 和 VS 的电源,完成高端 N 沟道 MOS 管的驱动。
FR107
外接自举二极管
8 VB
+48V
HIN 2
+15V VCC 1
7 HO
6 VS
VC
自举电容
LIN 3
5 LO
EG3011
图 8-3. EG3014 自举电路结构
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EG3013 | Power MOS tube / IGBT gate driver chip tube | EGmicro |
EG3014 | Power MOS tube / IGBT gate driver chip | EGmicro |
Teilenummer | Beschreibung | Hersteller |
CD40175BC | Hex D-Type Flip-Flop / Quad D-Type Flip-Flop. |
Fairchild Semiconductor |
KTD1146 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR. |
KEC |
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