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PDF TPCA8A11-H Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza TPCA8A11-H
Descripción MOSFETs
Fabricantes Toshiba Semiconductor　
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No Preview Available ! TPCA8A11-H Hoja de datos, Descripción, Manual

MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H/Schottky Barrier Diode)
TPCA8A11-H
1. Applications
• High-Efficiency DC-DC Converters
• Notebook PCs
• Mobile Handsets
2. Features
(1) Built-in a schottky barrier diode
Low forward voltage: VDSF = -0.6 V (max)
(2) High-speed switching
(3) Small gate charge: QSW = 10 nC (typ.)
(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.5 mΩ (typ.) (VGS = 4.5 V)
(5) Low leakage current: IDSS = 100 µA (max) (VDS = 30 V)
(6) Enhancement mode: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)
3. Packaging and Internal Circuit
TPCA8A11-H
SOP Advance
1, 2, 3: Source
4: Gate
5, 6, 7, 8: Drain
1 2011-04-04
Rev.1.0

1 page




TPCA8A11-H pdf
8. Characteristics Curves (Note)
TPCA8A11-H
Fig. 8.1 ID - VDS
Fig. 8.2 ID - VDS
Fig. 8.3 ID - VGS
Fig. 8.4 VDS - VGS
Fig. 8.5 RDS(ON) - ID
Fig. 8.6 RDS(ON) - Ta
5 2011-04-04
Rev.1.0

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
TPCA8A11-HMOSFETsToshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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