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Número de pieza | K2788 | |
Descripción | MOSFET ( Transistor ) - 2SK2788 | |
Fabricantes | Hitachi Semiconductor | |
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Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
Features
• Low on-resistance
RDS(on) = 0.12Ω typ (VGS = 10 V, ID = 1 A)
• Low drive current
• High speed switching
• 4V gate drive devices.
Outline
UPAK
21
3
D
4
G
S
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
ADE-208-538
1st. Edition
1 page Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
2.0
Pulse Test
1.6
1.2
0.8
0.4 2 A
1A
0 2 4 6 8 10
Gate to Source Voltage V GS (V)
2SK2788
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
5
Pulse Test
2
1
0.5
0.2 VGS = 4 V
0.1 10 V
0.05
0.1
0.3 1 3 10 30
Drain Current I D (A)
100
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
0.5
Pulse Test
0.4
0.3
V GS = 4 V
0.2
1A
2A
1, 2 A
0.1
10 V
0
–40 0 40 80 120 160
Case Temperature Tc (°C)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
10
Tc = –25 °C
5
2 25 °C
75 °C
1
0.5
0.2
0.1
0.1
V DS = 10 V
Pulse Test
0.2 0.5 1 2
5
Drain Current I D (A)
10
5
5 Page |
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PDF Descargar | [ Datasheet K2788.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
K2782 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK2782 | Toshiba Semiconductor |
K2788 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK2788 | Hitachi Semiconductor |
K2789 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK2789 | Toshiba Semiconductor |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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