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Teilenummer | ME2108F |
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Beschreibung | DC / DC boost converter | |
Hersteller | Microne | |
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Gesamt 8 Seiten ME2108 系列
Ver 08
ME2108 系列 DC/DC 升压转换器
ME2108 系列 DC/DC 芯片是采用 特点
CMOS 工艺制造的低静态电流的 PFM 开
关型 DC/DC 升压转换器。该系列芯片采用
先进的电路设计和制造工艺,极大地改善
了开关电路固有的噪声问题,减小对周围
电路的干扰。输出电压为 2.0V~7.0V(按
0.1V 的级差),振荡频率为 180KHz(典型
值)。对内置开关晶体管的 ME2108Xxx,
组成 DC/DC 升压电路只需接三个外围元
件, 一只肖特基二极管、一只电感和一只
电容。带 CE 端的 ME2108Cxx,具有关断
功能,可使芯片功耗达到最小。该系列芯
片适用于低噪声、较大电流的电池供电设
备。
•只需少量的外接元件:仅一只肖特基二极管、一只
电感和一只电容;
• 低纹波及低噪声;
• 工作电压范围:0.9V~8V;
• 带 载 能 力 强 : 当 Vin=3.0V 且 Vout=5.0V 时
Iout=400mA;
• 输出电压范围:2.0V~7.0V(步长 0.1V);
• 输出电压高精度:±2.5%;
• 低启动电压:最高值为 0.9V(输出电流为 1mA 时);
• 最大工作频率:180KHz(典型值);
• 高效率:典型值为 85%;
• 封装尺寸:SOT23,SOT89。
用途
选型指南
• 电池供电设备的电源部分;
• 无线鼠标、无线键盘、照相机、摄象机、VCR、
PDA、手持电话、电动玩具等便携式设备的
电源部分;
• 要求提供电压比电池所能提供电压高的设备
的电源部分。
型号
ME2108Axx
ME2108Bxx
ME2108Cxx
ME2108Dxx
ME2108F
后缀
M3
P
M3
P
M5
P
M5
P
M5
封装
SOT23-3
SOT89-3
SOT23-3
SOT89-3
SOT23-5
SOT89-5
SOT23-5
SOT89-5
SOT23-5
开关
晶体管
内置
外置
内置
外置
外置
CE 端
No
No
Yes
Yes
No
Vdd 端 FB 端
特点
No No
标准型
No No
扩流型
No No 标准使能型
No No 扩流使能型
Yes Yes 扩流可调输出型
1(8)
Tel: 0755-8398 3377 / 135 9011 2223 http://www.gofotech.com
ME2108 系列
Ver 08
外部器件的选择及注意事项
外围电路对 ME2108 性能影响很大,需合理选择外部器件:
(1) 外接电容值不宜小于 10μF(电容值过小将导致输出纹波过大),同时要有良好的频率
特性(最好使用钽电容)。此外,由于 LX 开关驱动晶体管关断时会产生一尖峰电压,
电容的容压值至少为设计输出电压的 3 倍;(普通的铝电解电容 ESR 值过高,所以可选
购专门应用于开关式 DC/DC 转换器的铝电解电容,如 OS-CON 电容。)
(2) 外接电感值要足够小以便即使在最低输入电压和最短的LX开关时间内能够存储足够的
能量,同时,电感值又要足够大从而防止在最高输入电压和最长的LX开关时间时ILXMAX
超出最大额定值。此外,外接电感的直流阻抗要小、容流值要高且工作时不至于达到
磁饱和;
(3) 外接二极管宜选择具有较高切换速度的肖特基二极管。
注意事项:
(1) 外部元器件与芯片距离越小越好,连线越短越好。特别是接到VOUT端的元器件应尽量
减短与电容的连线长度。
(2) Vss 端应充分接地,否则芯片内部的零电位会随开关电流而变化,造成工作状态不稳
定;
典型应用
6(8)
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Teilenummer | Beschreibung | Hersteller |
ME2108 | DC / DC boost converter | Microne |
ME2108Axx | DC / DC boost converter | Microne |
ME2108Bxx | DC / DC boost converter | Microne |
ME2108Cxx | DC / DC boost converter | Microne |
ME2108Dxx | DC / DC boost converter | Microne |
Teilenummer | Beschreibung | Hersteller |
CD40175BC | Hex D-Type Flip-Flop / Quad D-Type Flip-Flop. |
Fairchild Semiconductor |
KTD1146 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR. |
KEC |
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