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FF200R12KS4 Schematic ( PDF Datasheet ) - Eupec

Teilenummer FF200R12KS4
Beschreibung IGBT Module
Hersteller Eupec
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Gesamt 9 Seiten
FF200R12KS4 Datasheet, Funktion
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FF200R12KS4
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Tvj= 25° C
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
TC = 70 °C
TC = 25 °C
tP = 1 ms, TC = 80°C
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
TC=25°C, Transistor
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tP = 1 ms
Grenzlastintegral der Diode
I2t - value, Diode
VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VCES
IC,nom.
IC
ICRM
Ptot
VGES
IF
IFRM
I2t
VISOL
1200
200
275
400
1,4
+/- 20V
200
400
18
2,5
V
A
A
A
kW
V
A
A
k A2s
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
IC = 200A, VGE = 15V, Tvj = 25°C
IC = 200A, VGE = 15V, Tvj = 125°C
IC = 8mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
gate charge
VGE = -15V...+15V
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
VCE = 1200V, V GE = 0V, Tvj = 25°C
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C
prepared by: MOD-D2; Martin Knecht
approved by: SM TM; Wilhelm Rusche
date of publication: 2003-01-11
revision: 3.0
VCE sat
min.
-
-
typ.
3,2
3,85
max.
3,7
-
VGE(th)
4,5
5,5
6,5
V
V
V
QG - 2,1 - µC
Cies - 13 - nF
Cres - 0,85 - nF
ICES
-
-
5 mA
IGES
-
- 400 nA
1 (8)
DB_FF200R12KS4_3.0
2003-01-11
Free Datasheet http://www.Datasheet4U.com






FF200R12KS4 Datasheet, Funktion
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FF200R12KS4
Schaltverluste (typisch) Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC)
Switching losses (typical) VGE=±15V, RG=4,7 , VCE = 600V, Tvj = 125°C
60,0
50,0
40,0
Eon
Eoff
Erec
30,0
20,0
10,0
0,0
0
50 100 150 200 250 300 350
IC [A]
400
Schaltverluste (typisch)
Switching losses (typical)
100,0
90,0
80,0
70,0
Eon
Eoff
Erec
60,0
50,0
40,0
30,0
20,0
10,0
0,0
0
5 10
Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG)
VGE=±15V , IC = 200A , VCE = 600V , T vj = 125°C
15 20 25 30
RG []
6 (8)
DB_FF200R12KS4_3.0
2003-01-11
Free Datasheet http://www.Datasheet4U.com

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Besondere Datenblatt

TeilenummerBeschreibungHersteller
FF200R12KS4IGBT ModuleInfineon
Infineon
FF200R12KS4IGBT ModuleEupec
Eupec

TeilenummerBeschreibungHersteller
CD40175BC

Hex D-Type Flip-Flop / Quad D-Type Flip-Flop.

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
KTD1146

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR.

KEC
KEC


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