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PDF CR5228 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | CR5228 | |
| Descripción | (CR5224 - CR5229) MOSFET | |
| Fabricantes | Chip-Rail | |
| Logotipo |  |
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CR5224/CR5228/CR5229 应用指导书 V3.0
摘要：
本文主要介绍了 CR522X 的特征和详细的工作原理，描述了一种采用 CR522X 的反激式隔离 AC-DC 开
关电源的简单而高效的设计方法。
芯片特征：
内置 650V 功率开关 MOSFET（CR5224 内置 630V MOSFET）
过温保护功能
低的启动电流：3uA（Typ）
低的工作电流：2mA（Typ）
内置软启动以减小 MOSFET 应力
内置频率抖动以改善 EMI 特性
内置斜波补偿电路
50KHz 的开关频率
为改善效率和最小待机功耗而设计的 Hiccup Mode & PFM 工作模式
VDD 欠压保护(UVLO)、过压保护(OVP)及 VDD 电压钳位功能、OLP 等多种自恢复保护
高效节能：
满足能源之星EPS 2.0版Ⅴ级能效标准
应用领域：
电池充电器
数码产品适配器
VCR，SVR，STB，DVD 等电源
PC，TV 辅助电源
开放式电源
管脚信息：
VDDG GND
VDD GND
FB Drain
Sense Drain
CR5224/CR5228/CR5229
(DIP-8L)
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/
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CR522X 应用指导书
图 1.4 FB 端电压对应系统工作状态
1.3V~1.4V 为系统在空载或轻载时工作在间歇模式下的 FB 端电压；1.4V~1.8V 为系统在中等或轻载负
载时频率调制模式下的 FB 端电压；1.8V~3.7V 为系统在重载下的 FB 端电压；3.7V~4.8V 为系统开环，过
功率保护，短路保护时 FB 端电压；FB 端的短路电流典型值为 0.9mA。
当 VFB 大于 3.7V 并持续 50ms 的时间，关闭开关管，状态被保持。此时芯片 VDD 电压必须降低到 VDD_OFF
后，再启动才能恢复正常。当 VFB 小于 1.3V 时，仅关闭开关管以保护系统。
6.CS 输入端
CR522X 采用电流模式 PWM 控制技术，初级峰值电流通过电流检测电阻 Rsense 转化为电压反馈到
Sense 端。由于在开关管导通瞬间会有脉冲峰值电流，如果此时采样电流值，容易导致错误的控制。内置
的前沿消隐（LEB）电路，就是为了防止这种错误的控制。在开关管导通后，经过一段前沿消隐时间（典
型 250ns）才去采样原边峰值电流。由于变压器工艺及外围器件品质等因素，不排除有超过 LEB 屏蔽时间
的巨大 Spike，此时应在 Rsense 电阻上并联一个 Csense 电容予以滤除。该电容取值范围应不超过 100nF，
保证滤除 Spike 并尽可能的小。
正常工作时，PWM 占空比由 Sense 端电压和 FB 端电压共同调整。
7.内置斜波补偿
内置斜波补偿电路增加电流检测电压的斜率，这可以改善系统闭环的稳定性，防止次谐波振荡，减小
输出纹波电压。
8.驱动
CR522X 内置的功率 MOSFET 通过一个专用的栅极驱动器控制。当提供给 MOSFET 驱动能力差时会
导致高的开关损耗；驱动能力强，EMI 特性会变差。这就需要一个折衷的办法来平衡开关损耗和 EMI 特性，
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CR522X 应用指导书
8.次级绕组和辅助绕组
初级绕组与次级绕组匝数比：
n = NP = VOR ………………………………………（2.17）
NS VO + VD
其中，NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压，VD为二极管正向电压：请查询对应二
极管的规格书，一般来讲耐压>100V的肖特基二极管PN结选取1~1.2 V，耐压小于100V的肖特基二极管
选取0.6~1 V。
然后确定正确的NS，使得最终的NP不得小于NP,MIN。有的时候最终的NP比NP,MIN大得多，这就需要
更换一个大的磁芯，或者在无法更换磁芯时，则通过增加KP值来减小LP，这样，最终的初级侧匝数也
会减小。
辅助绕组匝数
N AVX
= VDD + VDB
VO + VD
× NS ………………………………………（2.18）
其中，VDD为辅助绕组整流后的电压，VDB为偏置绕组整流管正向电压；
考虑到系统在满载和空载转变瞬间，由于能量瞬间导致VDD下冲误触发UVLO，在系统允许的输入电
压范围内且输出为空载时，建议VDD大于11V。
确定磁芯气隙长度：
Lg
=
40 × π
×
Ae
×
N
2
P
1000× LP
−
1
AL
………………………………………（2.19）
其中，Lg单位为毫米，Ae单位为平方厘米，AL为无间隙情况下的AL值，单位为纳亨/圈2，LP单位为微
亨。
通常不推荐对中心柱气隙磁芯使用小于0.1 mm的值，因为这样会导致初级电感量容差增大。如果您需
要使用小于0.1 mm的Lg值，请咨询变压器供应商以获得指导。
9.次级峰值电流和次级有效值电流
次级峰值电流：
I SP
=
IP
×
NP
NS
………………………………………（2.20）
次级峰值电流：
连续模式
( )ISRMS = ISP ×
1− DMAX
×
K
2
P
3
−
KP
+1
………………………………………（2.21）
非连续模式
ISRMS = ISP ×
1− DMAX …………………………………………………（2.22）
3× KP
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| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
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| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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