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PDF CZD1386 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | CZD1386 | |
| Descripción | PNP Epitaxial Silicon Transistor | |
| Fabricantes | SeCoS | |
| Logotipo |  |
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Elektronische Bauelemente
DESCRIPTION
The CZD1386 is designed for low frequency applications.
wFwEw.ADaTtaUSheRet4EUS.net
z Low VCE(sat) = -0.55V(Typ.) (IC/IB = -4 A/ -0.1 A)
z Excellent DC current gain characteristics
PACKAGE DIMENSIONS
CZD1386
-5 A, -30 V
PNP Epitaxial Silicon Transistor
REF.
A
B
C
D
E
F
S
Millimeter
Min. Max.
6.40 6.80
5.20 5.50
6.80 7.20
2.40 3.00
2.30 Ref.
0.70 0.90
0.60 0.90
REF.
G
H
J
K
L
M
R
Millimeter
Min. Max.
0.50 0.70
2.20 2.40
0.45 0.55
0 0.15
0.90 1.50
5.40 5.80
0.80 1.20
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta = 25°C
Parameter
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
*Collector Current (Pulse)
Total Power Dissipation
Junction, Storage Temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IC
Pc
TJ, TSTG
Ratings
-30
-20
-6
-5
-10
20
+150, -55 ~ +150
Unit
V
V
V
A
A
W
℃
CHARACTERISTICS at Ta = 25°C
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
*VCE(sat)
*hFE
fT
Cob
Min.
-30
-20
-6
-
-
-
82
-
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
120
60
Max.
-
-
-
-500
-500
-1
580
-
-
CLASSIFICATION OF hFE1
Rank
P
Range
82 - 180
Q
120 - 270
Unit
V
V
V
nA
nA
mV
MHz
pF
Test Conditions
IC=-50uA
IC=-1mA
IE=-50uA
VCB=-20V
VEB=-5V
IC=-4A, IB=-0.1mA
VCE=-2V, IC=-0.5mA
VCE=-6V, IE=50mA, f=30MHz
VCB=-20V, IE=0, f=1MHz
* Pulse Test: Pulse Width≦380μs, Duty Cycle≦2%
R
180 - 390
E
370 - 580
01-June-2002 Rev. A
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| PDF Descargar | [ Datasheet CZD1386.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| CZD1386 | PNP Epitaxial Silicon Transistor | SeCoS |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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