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PDF STT2622 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | STT2622 | |
| Descripción | N-Channel Enhancement Mode Power MosFET | |
| Fabricantes | SeCoS Halbleitertechnologie GmbH | |
| Logotipo |  |
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Elektronische Bauelemente
STT2622
520mA, 50V,RDS(ON) 1.8
N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET
Description
The STT2622 utiltzed advance processing techniques to achieve the lowest
possible on-resistance, extermely efficient and cost-effectiveness device.
The SOT-26 is universally used for all commercial-industrial applications.
Features
* RoHS Compliant
* Low Gate Charge
* Surface Mount Package
D1 D2
G1 G2
S1 S2
Date Code
D1 S1
65
D2
4
2622
12
G1 S2
3
G2
REF.
A
A1
A2
c
D
E
E1
Millimeter
Min. Max.
1.10 MAX.
0 0.10
0.70 1.00
0.12 REF.
2.70 3.10
2.60 3.00
1.40 1.80
REF.
L
L1
b
e
e1
Millimeter
Min. Max.
0.45 REF.
0.60 REF.
0° 10°
0.30 0.50
0.95 REF.
1.90 REF.
Absolute Maximum Ratings
Parameter
www.DataSheet4U.com
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current3,VGS@10V
3
Continuous Drain Current,VGS@10V
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Linear Derating Factor
Operating Junction and Storage Temperature Range
Symbol
VDS
VGS
ID@TA=25oC
ID@TA=70oC
IDM
PD@TA=25oC
Tj, Tstg
Ratings
50
±20
520
410
1.5
0.8
0.006
-55~+150
Unit
V
V
mA
mA
A
W
W /oC
oC
Thermal Data
Parameter
Thermal Resistance Junction-ambient3 (Max)
Symbol
Rthj-a
Ratings
150
Unit
oC /W
http://www.SeCoSGmbH.com/
01-Jun-2002 Rev. A
Any changing of specification will not be informed individual
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| STT2622 | N-Channel Enhancement Mode Power MosFET | SeCoS Halbleitertechnologie GmbH |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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