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PDF 2SD961 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 2SD961 | |
| Descripción | Power Transistor | |
| Fabricantes | Inchange Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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INCHANGE Semiconductor
www.DataSheet4U.com
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
2SD961
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 80V(Min)
·Good Linearity of hFE
·Low Collector Saturation Voltage
: VCE(sat)= 0.5V(Max)@IC= 4A
·Complement to Type 2SB869
APPLICATIONS
·Designed for power switching applications.
i.cnABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
.iscsemSYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
130 V
wwwVCEO
Collector-Emitter Voltage
80 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
7V
IC Collector Current-Continuous
5A
ICM Collector Current-Peak
Collector Power Dissipation
PC @ TC=25℃
TJ Junction Temperature
10 A
40 W
150 ℃
Tstg Storage Temperature Range
-55~150
℃
isc Website：www.iscsemi.cn
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 2SD960 | Silicon NPN Transistor | Inchange Semiconductor |
| 2SD960 | SI NPN TRIPLE DIFFUSED JUNCTION MESA |  Panasonic Semiconductor |
| 2SD961 | Power Transistor | Inchange Semiconductor |
| 2SD965 | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification) | Panasonic Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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