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PDF FP10R12KE3 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | FP10R12KE3 | |
| Descripción | IGBT Modules | |
| Fabricantes | Eupec GmbH | |
| Logotipo |  |
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP10R12KE3
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert pro Chip
RMS forward current per chip
Tvj =25°C
TC =80°C
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom
maximum RMS current at Rectifier output
Stoßstrom Grenzwert
www.DataSheet4Us.ucrogme forward current
Grenzlastintegral
I2t - value
TC =80°C
tP = 10 ms,
tP = 10 ms,
tP = 10 ms,
tP = 10 ms,
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Tvj =25°C
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
TC = 80°C
TC = 25 °C
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
tP = 1 ms,
TC =80°C
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
TC = 25°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral
I2t - value
tP = 1 ms
VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C
Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Tvj =25°C
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
TC = 80 °C
TC = 25 °C
tP = 1 ms, TC = 80°C
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
TC = 25°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tP = 1 ms
Vorläufig
Preliminary
VRRM
IFRMSM
IRMSmax
IFSM
I2t
VCES
IC,nom.
IC
ICRM
Ptot
VGES
IF
IFRM
I2t
VCES
IC,nom.
IC
ICRM
Ptot
VGES
IF
IFRM
1600
25
36
196
158
192
125
1200
10
15
20
55
+/- 20V
10
20
20
1200
10
15
20
55
+/- 20V
10
20
prepared by: Thomas Passe
approved by: Ingo Graf
date of publication: 2002-02-14
revision: 6
V
A
A
A
A
A2s
A2s
V
A
A
A
W
V
A
A
A2s
V
A
A
A
W
V
A
A
1(12)
1 page  
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP10R12KE3
Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch)
Output characteristic Inverter (typical)
20
18 Tj = 25°C
Tj = 125°C
16
14
www.DataSheet4U.com 12
10
8
6
4
2
0
0,00
0,50
1,00
1,50
IC = f (VCE)
VGE = 15 V
2,00 2,50
VCE [V]
Vorläufig
Preliminary
3,00
3,50
Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch)
Output characteristic Inverter (typical)
IC = f (VCE)
Tvj = 125°C
20
18
16 9V
11V
14 13V
12 15V
17V
10 19V
8
6
4
2
0
0,00 0,50 1,00 1,50 2,00 2,50 3,00 3,50
VCE [V]
5(12)
5 Page 
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP10R12KE3
Schaltplan/ Circuit diagram
Vorläufig
Preliminary
www.DataSheet4U.com
J
Gehäuseabmessungen/ Package outlines
Bohrplan /
drilling layout
11(12)
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| FP10R12KE3 | IGBT Modules | Eupec GmbH |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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