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FB10R06KL4GB1 Schematic ( PDF Datasheet ) - eupec GmbH

Teilenummer FB10R06KL4GB1
Beschreibung IGBT-Modules
Hersteller eupec GmbH
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Gesamt 13 Seiten
FB10R06KL4GB1 Datasheet, Funktion
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FB10R06KL4GB1
Elektrische Eigenschaften /electrical properties
Höchstzulässige Werte /maximum rated values
Vorläufig
preliminary
Diode Gleichrichter / diode rectifier
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Tvj =25°C
VRRM
800
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert pro Chip
RMS forward current per chip
www.DataSheet4U.com
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom
maximum RMS current at Rectifier output
Stoßstrom Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I2t - value
TC =80°C
TC =80°C
tP = 10 ms,
tP = 10 ms,
tP = 10 ms,
tP = 10 ms,
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Tvj =25°C
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
TC =80°C
TC = 25 °C
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
tP = 1 ms,
TC =80°C
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
TC = 25°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
IFRMSM
IRMSmax
IFSM
I2t
VCES
IC,nom.
IC
ICRM
Ptot
VGES
23
25
197
158
194
125
600
10
15
20
55
+/- 20V
Diode Wechselrichter / diode inverter
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral
I2t - value
tP = 1 ms
VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C
IF 10
IFRM
20
I2t 12
Transistor Brems-Chopper / transistor brake-chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Tvj =25°C
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
TC =80 °C
TC = 25 °C
tP = 1 ms, Tc=80°C
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
TC = 25°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
VCES
IC,nom.
IC
ICRM
Ptot
VGES
600
10
15
20
55
+/- 20V
Diode Brems-Chopper / diode brake-chopper
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tP = 1 ms
IF
IFRM
10
20
prepared by: Thomas Passe
approved by: R. Keggenhoff
date of publication: 2003-03-26
revision: 2.1
V
A
A
A
A
A2s
A2s
V
A
A
A
W
V
A
A
A2s
V
A
A
A
W
V
A
A
1(12)






FB10R06KL4GB1 Datasheet, Funktion
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FB10R06KL4GB1
www.DataSheet4U.com
Übertragungscharakteristik Wechselr. (typisch)
transfer characteristic inverter (typical)
20
18 Tj = 25°C
Tj = 125°C
16
14
12
10
8
6
4
2
0
5,00
6,00
7,00
8,00
9,00
IC = f (VGE)
VCE = 20 V
10,00
Vorläufig
preliminary
11,00
12,00
VGE [V]
Durchlaßkennlinie der Freilaufdiode Wechselr. (typisch) IF = f (VF)
forward characteristic of FWD inverter (typical)
20
18 Tj = 25°C
Tj = 125°C
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0,00
0,50
1,00
1,50
2,00
2,50
VF [V]
3,00
6(12)

6 Page









FB10R06KL4GB1 pdf, datenblatt
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FB10R06KL4GB1
Gehäuseabmessungen Forts. / package outlines contd.
www.DataSheet4U.com
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes
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SeitenGesamt 13 Seiten
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Besondere Datenblatt

TeilenummerBeschreibungHersteller
FB10R06KL4GB1IGBT-Moduleseupec GmbH
eupec GmbH

TeilenummerBeschreibungHersteller
CD40175BC

Hex D-Type Flip-Flop / Quad D-Type Flip-Flop.

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
KTD1146

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR.

KEC
KEC


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