DataSheet.es    


PDF SPI80N06S2-07 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza SPI80N06S2-07
Descripción OptiMOS Power-Transistor
Fabricantes Infineon Technologies 
Logotipo Infineon Technologies Logotipo



Hay una vista previa y un enlace de descarga de SPI80N06S2-07 (archivo pdf) en la parte inferior de esta página.


Total 8 Páginas

No Preview Available ! SPI80N06S2-07 Hoja de datos, Descripción, Manual

www.DataSheet4U.com
OptiMOS® Power-Transistor
Feature
N-Channel
Enhancement mode
175°C operating temperature
Avalanche rated
dv/dt rated
P- TO262 -3-1
SPI80N06S2-07
SPP80N06S2-07,SPB80N06S2-07
Product Summary
VDS 55 V
RDS(on) 6.6 m
ID 80 A
P- TO263 -3-2
P- TO220 -3-1
Type
SPP80N06S2-07
SPB80N06S2-07
SPI80N06S2-07
Package
Ordering Code
P- TO220 -3-1 Q67060-S6024
P- TO263 -3-2 Q67060-S6026
P- TO262 -3-1 Q67060-S6037
Marking
2N0607
2N0607
2N0607
Maximum Ratings, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Continuous drain current 1)
TC=25°C
ID
Pulsed drain current
TC=25°C
Avalanche energy, single pulse
ID=80A, VDD=25V, RGS=25
Repetitive avalanche energy, limited by Tjmax2)
Reverse diode dv/dt
IS=80A, VDS=44V, di/dt=200A/µs, Tjmax=175°C
Gate source voltage
Power dissipation
TC=25°C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
ID puls
EAS
EAR
dv/dt
VGS
Ptot
Tj , Tstg
Value
80
80
320
530
25
6
±20
250
-55... +175
55/175/56
Unit
A
mJ
kV/µs
V
W
°C
Page 1
2003-05-09

1 page




SPI80N06S2-07 pdf
www.DataSheet4U.com
SPI80N06S2-07
SPP80N06S2-07,SPB80N06S2-07
5 Typ. output characteristic
ID = f (VDS); Tj=25°C
parameter: tp = 80 µs
190
SPP80N06S2-07
Ptot = 250W
A
h
160
140
120
100
80
60
VGS [V]
a
b
c
d
ge
f
g
fh
3.8
4.0
4.2
4.5
4.8
5.0
5.3
10.0
e
d
40
c
20
b
0a
0 1 2 3 4 V 5.5
VDS
6 Typ. drain-source on resistance
RDS(on) = f (ID)
parameter: VGS
21 SPP80N06S2-07
mc
d
e
f
g
18
16
14
12
10
8
6h
4
VGS [V] =
2c d ef
4.2 4.5 4.8 5.0
gh
5.3 10.0
0
0 20 40 60 80 100 A 140
ID
7 Typ. transfer characteristics
ID= f ( VGS ); VDS2 x ID x RDS(on)max
parameter: tp = 80 µs
160
A
120
100
80
60
40
20
0
0 1 2 3 4V 6
VGS
8 Typ. forward transconductance
gfs = f(ID); Tj=25°C
parameter: gfs
120
S
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20 40
60 80 100 120 A 150
ID
Page 5
2003-05-09

5 Page










PáginasTotal 8 Páginas
PDF Descargar[ Datasheet SPI80N06S2-07.PDF ]




Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
SPI80N06S2-07OptiMOS Power-TransistorInfineon Technologies
Infineon Technologies
SPI80N06S2-07Power-TransistorInfineon Technologies
Infineon Technologies
SPI80N06S2-08OptiMOS Power-TransistorInfineon Technologies
Infineon Technologies
SPI80N06S2-08Power-TransistorInfineon Technologies
Infineon Technologies

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares,
permitiéndote verlos en linea o descargarlos en PDF.


DataSheet.es    |   2020   |  Privacy Policy  |  Contacto  |  Buscar