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FZ600R65KF1 Schematic ( PDF Datasheet ) - eupec GmbH

Teilenummer FZ600R65KF1
Beschreibung IGBT-Module
Hersteller eupec GmbH
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Gesamt 10 Seiten
FZ600R65KF1 Datasheet, Funktion
www.DataSheet4U.com
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ 600 R 65 KF1
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Tvj=125°C
Tvj=25°C
Tvj=-40°C
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
TC = 80 °C
TC = 25 °C
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
tP = 1 ms, TC = 80°C
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
TC=25°C, Transistor
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tP = 1 ms
Grenzlastintegral der Diode
I2t - value, Diode
VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Teilentladungs Aussetzspannung
partial discharge extinction voltage
RMS, f = 50 Hz, QPD typ. 10pC (acc. To IEC 1287)
VCES
IC,nom.
IC
ICRM
Ptot
VGES
IF
IFRM
I2t
VISOL
VISOL
6500
6300
5800
600
1200
1200
11,4
+/- 20V
600
1200
165
10,2
5,1
V
A
A
A
kW
V
A
A
k A2s
kV
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
IC = 600A, VGE = 15V, Tvj = 25°C
IC = 600A, VGE = 15V, Tvj = 125°C
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
IC = 100mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
gate charge
VGE = -15V ... +15V
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
VCE = 6300V, VGE = 0V, Tvj = 25°C
VCE = 6500V, VGE = 0V, Tvj = 125°C
VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C
VCE sat
min.
-
-
typ.
4,3
5,3
max.
4,9
5,9
VGE(th)
6,4
7,0
8,1
V
V
V
QG - 8,4 - µC
Cies - 84 - nF
ICES
-
0,6
60
-
mA
mA
IGES
-
- 400 nA
prepared by: Dr. Oliver Schilling
approved by: Dr. Schütze 2002-07-05
date of publication: 2002-07-05
revision/Status: Series 1
1 FZ 600 R65 KF1 (final1).xls






FZ600R65KF1 Datasheet, Funktion
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ 600 R 65 KF1
Schaltverluste (typisch) Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC)
Switching losses (typical) RGon=4,3, RGoff=25, CGE = 68nF, VGE=±15V, VCE = 3600V, Tvj = 125°C,
16000
14000
12000
10000
Eon
Eoff
Erec
8000
6000
4000
2000
0
0
200
400
600
800
1000
1200
IC [A]
Schaltverluste (typisch)
Switching losses (typical)
14000
Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG)
IC = 600A , VCE = 3600V , VGE=±15V, CGE=68nF , Tvj = 125°C
12000
10000
Eon
Eoff
Erec
8000
6000
4000
2000
0
4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48
RG []
6 FZ 600 R65 KF1 (final1).xls

6 Page







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Besondere Datenblatt

TeilenummerBeschreibungHersteller
FZ600R65KF1IGBT-Moduleeupec GmbH
eupec GmbH

TeilenummerBeschreibungHersteller
CD40175BC

Hex D-Type Flip-Flop / Quad D-Type Flip-Flop.

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
KTD1146

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR.

KEC
KEC


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