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Número de pieza | D2293UK | |
Descripción | METAL GATE RF SILICON FET | |
Fabricantes | Seme LAB | |
Logotipo | ![]() |
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MECHANICAL DATA
PIN 1
PIN 3
PIN 5
SOT 171
SOURCE
GATE
SOURCE
PIN 2
PIN 4
PIN 6
SOURCE
DRAIN
SOURCE
TetraFET
D2293UK
METAL GATE RF SILICON FET
GOLD METALLISED
MULTI-PURPOSE SILICON
DMOS RF FET
10W – 12.5V – 500MHz
SINGLE ENDED
FEATURES
• SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN
• SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS
• VERY LOW Crss
• SIMPLE BIAS CIRCUITS
• LOW NOISE
• HIGH GAIN – 11 dB MINIMUM
APPLICATIONS
• HF/VHF/UHF COMMUNICATIONS
from 1 MHz to 1 GHz
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C unless otherwise stated)
PD Power Dissipation
42W
BVDSS
Drain – Source Breakdown Voltage
40V
BVGSS
Gate – Source Breakdown Voltage
±20V
ID(sat)
Drain Current *
8A
Tstg Storage Temperature
–65 to 150°C
Tj Maximum Operating Junction Temperature
200°C
Semelab plc. Telephone +44(0)1455) 556565. Fax +44(0)1455) 552612.
Prelim. 7/99
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PDF Descargar | [ Datasheet D2293UK.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
D2293UK | METAL GATE RF SILICON FET | ![]() Seme LAB |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
![]() Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
![]() Analog Devices |
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