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Teilenummer | P60B4EL |
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Beschreibung | Power MOSFET ( Transistor ) | |
Hersteller | SHINDENGEN | |
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Gesamt 4 Seiten Nch
P60B4EL
PowerMOSFET
■外観図 OUTLINE
Package:FB
Unit:mm
40V60A
特長
煙面実装タイプ
煙低オン抵抗
煙4.5V駆動
煙低容量
Feature
煙SMD
煙LowRON
煙4.5VGateDrive
煙LowCapacitance
P60B4EL
000000
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings(指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
GateSourceVoltage
ドレイン電流(直流)
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流(ピーク)
ContinuousDrainCurrent(Peak)
全損失
TotalPowerDissipation
単発アバランシェ電流
SingleAvalancheCurrent
単発アバランシェエネルギー
SingleAvalancheEnergy
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
PT
IAS
EAS
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
StartingTch=25℃,Tch≦150℃
StartingTch=25℃,Tch≦150℃
-55~150
150
40
±20
60
240
62.5
40
175
℃
V
A
W
A
mJ
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics(指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値 Ratings 単位
MIN TYP MAX Unit
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
V(BR)DSS ID=1mA,VGS=0V
IDSS VDS=40V,VGS=0V
IGSS VGS=±20V,VDS=0V
gfs ID=30A,VDS=10V
ドレイン・ソース間オン抵抗
RStaticDrain-SourceOn-stateResistance (DS)ON
ID=30A,VGS=10V
ID=30A,VGS=4.5V
ゲートしきい値電圧
GateThresholdVoltage
VTH ID=1mA,VDS=10V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiodeForwardVoltage
VSD
IS=60A,VGS=0V
熱抵抗
ThermalResistance
θjc 接合部・ケース間
Junctiontocase
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
Qg
ゲート・ソース電荷量
GatetoSourceCharge
Qgs VDD=32V,VGS=10V,ID=60A
ゲート・ドレイン電荷量
GatetoDrainCharge
Qgd
入力容量
InputCapacitance
Ciss
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
Crss VDS=25V,VGS=0V,f=1MHz
出力容量
OutputCapacitance
Coss
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
td(on)
上昇時間
Risetime
tr ID=30A,RL=0.67Ω,VDD=20V,Rg=0Ω,
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
td(off) VGS(+)=10V,VGS(-)=0V
降下時間
Falltime
tf
ダイオード逆回復時間
DiodeReverseRecoveryTime
ダイオード逆回復電荷量
DiodeReverseRecoveryCharge
trr
Qrr
IF=60A,VGS=0V,di/dt=100A/μs
40 ─ ─
V
──
1 μA
─ ─ ±0.1
19 38 ─
S
─ 3.3 4.2
─ 4.6 6.2 mΩ
1.5 2.0 2.5
─ ─ 1.5
V
──
2 ℃/W
─ 57 ─
─ 10 ─ nC
─ 18 ─
─ 2900 ─
─ 280 ─ pF
─ 500 ─
─ 10 ─
─ 24 ─ ns
─ 22 ─
─ 4─
─ 40 ─ ns
─ 47 ─ nC
(MOS-p〈2014.03〉)
www.shindengen.co.jp/product/semi/
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Seiten | Gesamt 4 Seiten | |
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Teilenummer | Beschreibung | Hersteller |
P60B4EL | Power MOSFET ( Transistor ) | SHINDENGEN |
Teilenummer | Beschreibung | Hersteller |
CD40175BC | Hex D-Type Flip-Flop / Quad D-Type Flip-Flop. |
Fairchild Semiconductor |
KTD1146 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR. |
KEC |
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