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MT16VDDT25664A Schematic ( PDF Datasheet ) - Micron

Teilenummer MT16VDDT25664A
Beschreibung 2GB DDR SDRAM UNBUFFERED DIMM
Hersteller Micron
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Gesamt 30 Seiten
MT16VDDT25664A Datasheet, Funktion
256MB, 512MB, 1GB, 2GB (x64, DR)
184-PIN DDR SDRAM UDIMM
DDR SDRAM
UNBUFFERED DIMM
MT16VDDT3264A – 256MB
MT16VDDT6464A – 512MB
MT16VDDT12864A
MT16VDDT25664A
1GB
2GB
(ADVANCE)
For the latest data sheet, please refer to the MicronWeb
site: www.micron.com/products/modules
Features
• 184-pin, dual in-line memory module (DIMM)
• Fast data transfer rates: PC2100 or PC2700
• Utilizes 266 MT/s and 333 MT/s DDR SDRAM
components
• 256MB (32 Meg x 64), 512MB (64 Meg x 64), 1GB
(128 Meg x 64), and 2GB (256 Meg x 64)
• VDD = VDDQ = +2.5V
• VDDSPD = +2.3V to +3.6V
• 2.5V I/O (SSTL_2 compatible)
• Commands entered on each positive CK edge
• DQS edge-aligned with data for READs; center-
aligned with data for WRITEs
• Internal, pipelined double data rate (DDR)
architecture; two data accesses per clock cycle
• Bidirectional data strobe (DQS) transmitted/
received with data—i.e., source-synchronous data
capture
• Differential clock inputs (CK and CK#)
• Four internal device banks for concurrent operation
• Programmable burst lengths: 2, 4, or 8
• Auto precharge option
• Auto Refresh and Self Refresh Modes
• 15.6µs (256MB), 7.8125µs (512MB, 1GB, and 2GB)
maximum average periodic refresh interval
• Serial Presence Detect (SPD) with EEPROM
• Programmable READ CAS latency
• Gold edge contacts
Figure 1: 184-Pin DIMM (MO-206)
Standard 1.25in. (31.75mm)
Low-Profile 1.15in. (29.21mm)
OPTIONS
MARKING
• Package
184-pin DIMM (standard)
G
184-pin DIMM (lead-free)1
• Memory Clock, Speed, CAS Latency2
Y
6ns/166MHz (333 MT/s) CL = 2.5
7.5ns/133 MHz (266 MT/s) CL = 2
7.5ns/133 MHz (266 MT/s) CL = 2
-335
-2621
-26A1
7.5ns/133 MHz (266 MT/s) CL = 2.5
-265
• PCB
Standard 1.25in. (31.75mm)
See page 2 note
Low-Profile 1.20in. (30.48mm)
See page 2 note
NOTE: 1. Consult Micron for product availability.
2. CL = CAS (READ) Latency.
Table 1: Address Table
Refresh Count
Row Addressing
Device Bank Addressing
Device Configuration
Column Addressing
Module Rank Addressing
256MB
4K
4K (A0–A11)
4 (BA0, BA1)
128Mb (16 Meg x 8)
1K (A0–A9)
2 (S0#, S1#)
512MB
8K
8K (A0–A12)
4 (BA0, BA1)
256Mb (32 Meg x 8)
1K (A0–A9)
2 (S0#, S1#)
1GB
8K
8K (A0–A12)
4 (BA0, BA1)
512Mb (64 Meg x 8)
2K (A0–A9, A11)
2 (S0#, S1#)
2GB
8K
16K (A0–A13)
4 (BA0, BA1)
1Gb (128 Meg x 8)
2K (A0–A9, A11)
2 (S0#, S1#)
pdf: 09005aef80739fa5, source: 09005aef807397e5
DD16C32_64_128_256x64AG.fm - Rev. C 9/04 EN
1
©2004 Micron Technology, Inc.
PRODUCTS AND SPECIFICATIONS DISCUSSED HEREIN ARE FOR EVALUATION AND REFERENCE PURPOSES ONLY AND ARE SUBJECT TO CHANGE BY
MICRON WITHOUT NOTICE. PRODUCTS ARE ONLY WARRANTED BY MICRON TO MEET MICRON’S PRODUCTION DATA SHEET SPECIFICATIONS.






MT16VDDT25664A Datasheet, Funktion
256MB, 512MB, 1GB, 2GB (x64, DR)
184-PIN DDR SDRAM UDIMM
Figure 3: Functional Block Diagram – Standard PCB
S1#
S0#
DQS0
DM0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQS1
DM1
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQS2
DM2
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQS3
DM3
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DM CS# DQS
DQ
DQ U1
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS
DQ
DQ U16
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS
DQ
DQ U3
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS
DQ
DQ U14
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS
DQ
DQ U17
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS
DQ
DQ U2
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS
DQ
DQ U15
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS
DQ
DQ U4
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQS4
DM4
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQS5
DM5
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQS6
DM6
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQS7
DM7
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DM CS# DQS
DQ
DQ U13
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS
DQ
DQ U6
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS
DQ
DQ U11
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS
DQ
DQ U8
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS
DQ
DQ U5
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS
DQ
DQ U12
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS
DQ
DQ U7
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS
DQ
DQ U10
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
BA0, BA1
A0-A11 (256MB)
A0-A12 (512MB, 1GB)
A0-A13 (2GB)
RAS#
CAS#
WE#
CKE1
CKE0
3
3
3
3
3
3
3
BA0, BA1: DDR SDRAMS
A0-A11: DDR SDRAMS
A0-A12: DDR SDRAMS
A0-A13: DDR SDRAMS
RAS#: DDR SDRAMS
CAS#: DDR SDRAMS
WE#: DDR SDRAMS
CKE0: DDR SDRAMS U1, U3, U6, U8, U11, U13, U14, U16
CKE1: DDR SDRAMS U2, U4, U5, U7, U10, U12, U15, U17
CK0
CK0#
CK1
CK1#
CK2
CK2#
120
3pF
120
120
U4, U6,
U13, U15
U1-U3,
U16-U18
U7-U12
VDDSPD
VDDQ
VDD
VREF
VSS
SPD/EEPROM
DDR SDRAMS
DDR SDRAMS
DDR SDRAMS
DDR SDRAMS
NOTE:
1. All resistor values are 22unless otherwise specified.
2. Per industry standard, Micron modules utilize various component speed
grades, as referenced in the module part number guide at
www.micron.com/numberguide.
SERIAL PD
SCL U19 SDA
WP A0 A1 A2
SA0 SA1 SA2
Standard modules use the following SDRAM devices:
MT46V16M8TG (256MB); MT46V32M8TG (512MB); MT46V64M8TG (1GB);
MT46V128M8TG (2GB)
Lead-free modules use the following SDRAM devices:
MT46V16M8P (256MB); MT46V32M8P (512MB); MT46V64M8P (1GB);
MT46V128M8P (2GB)
pdf: 09005aef80739fa5, source: 09005aef807397e5
DD16C32_64_128_256x64AG.fm - Rev. C 9/04 EN
6 Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
©2004 Micron Technology, Inc.

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MT16VDDT25664A pdf, datenblatt
256MB, 512MB, 1GB, 2GB (x64, DR)
184-PIN DDR SDRAM UDIMM
Commands
Table 8, Commands Truth Table, and Table 9, DM
Operation Truth Table, provide a general reference of
available commands. For a more detailed description
of commands and operations, refer to the 128Mb,
256Mb, 512Mb, or 1Gb DDR SDRAM component data
sheets.
Table 8: Commands Truth Table
CKE is HIGH for all commands shown except SELF REFRESH; all states and sequences not shown are illegal or reserved
NAME (FUNCTION)
DESELECT (NOP)
NO OPERATION (NOP)
ACTIVE (Select bank and activate row)
READ (Select bank and column, and start READ burst)
WRITE (Select bank and column, and start WRITE burst)
BURST TERMINATE
PRECHARGE (Deactivate row in bank or banks)
AUTO REFRESH or SELF REFRESH (Enter self refresh mode)
LOAD MODE REGISTER
CS# RAS# CAS# WE# ADDR
HXXX
X
L HHH
X
L L H H Bank/Row
L H L H Bank/Col
L H L L Bank/Col
L HH L
X
L L H L Code
L L LH
X
L L L L Op-Code
NOTES
1
1
2
3
3
4
5
6, 7
8
NOTE:
1. DESELECT and NOP are functionally interchangeable.
2. BA0–BA1 provide device bank address and A0–A11 (256MB), A0–A12 (512MB, 1GB), or A0–A13 (2GB) provide row
address.
3. BA0–BA1 provide device bank address; A0–A9 (256MB, 512MB) or A0–A9, A11(1GB, 2GB), provide column address; A10
HIGH enables the auto precharge feature (nonpersistent), and A10 LOW disables the auto precharge feature.
4. Applies only to read bursts with auto precharge disabled; this command is undefined (and should not be used) for READ
bursts with auto precharge enabled and for WRITE bursts.
5. A10 LOW: BA0–BA1 determine which device bank is precharged. A10 HIGH: all device banks are precharged and BA0–
BA1 are “Don’t Care.”
6. This command is AUTO REFRESH if CKE is HIGH, SELF REFRESH if CKE is LOW.
7. Internal refresh counter controls row addressing; all inputs and I/Os are “Don’t Care” except for CKE.
8. BA0–BA1 select either the mode register or the extended mode register (BA0 = 0, BA1 = 0 select the mode register; BA0
= 1, BA1 = 0 select extended mode register; other combinations of BA0–BA1 are reserved). A0–A11 (256MB), A0–A12
(512MB, 1GB), or A0–A13 (2GB) provide the op-code to be written to the selected mode register.
Table 9: DM Operation Truth Table
Used to mask write data; provided coincident with the corresponding data
NAME (FUNCTION)
WRITE Enable
WRITE Inhibit
DM DQS
L Valid
HX
pdf: 09005aef80739fa5, source: 09005aef807397e5
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Besondere Datenblatt

TeilenummerBeschreibungHersteller
MT16VDDT25664A2GB DDR SDRAM UNBUFFERED DIMMMicron
Micron

TeilenummerBeschreibungHersteller
CD40175BC

Hex D-Type Flip-Flop / Quad D-Type Flip-Flop.

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
KTD1146

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR.

KEC
KEC


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