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MT16HTF12864HY Schematic ( PDF Datasheet ) - Micron

Teilenummer MT16HTF12864HY
Beschreibung 1GB DDR2 SDRAM SODIMM
Hersteller Micron
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Gesamt 15 Seiten
MT16HTF12864HY Datasheet, Funktion
1GB, 2GB (x64, DR) 200-Pin DDR2 SDRAM SODIMM
Features
DDR2 SDRAM SODIMM
MT16HTF12864HY – 1GB
MT16HTF25664HY – 2GB
Features
200-pin, small-outline dual in-line memory module
(SODIMM)
Fast data transfer rates: PC2-3200, PC2-4200,
PC2-5300, or PC2-6400
1GB (128 Meg x 64) or 2GB (256 Meg x 64)
VDD = VDDQ 1.8V
VDDSPD = 1.7–3.6V
JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible)
Differential data strobe (DQS, DQS#) option
4n-bit prefetch architecture
Multiple internal device banks for concurrent opera-
tion
Programmable CAS latency (CL)
Posted CAS additive latency (AL)
WRITE latency = READ latency - 1 tCK
Programmable burst lengths (BL): 4 or 8
Adjustable data-output drive strength
64ms, 8192-cycle refresh
On-die termination (ODT)
Serial presence detect (SPD) with EEPROM
Gold edge contacts
Dual rank
Figure 1: 200-Pin SODIMM (MO-224 R/C E)
Module height: 30mm (1.18in)
Options
Operating temperature
Commercial (0°C TA +70°C)
Industrial (–40°C TA +85°C)1
Package
200-pin DIMM (lead-free)
Frequency/CL2
2.5ns @ CL = 5 (DDR2-800)
2.5ns @ CL = 6 (DDR2-800)
3ns @ CL = 5 (DDR2-667)
3.75ns @ CL = 4 (DDR2-533)
5.0ns @ CL = 3 (DDR2-400)3
Marking
None
I
Y
-80E
-800
-667
-53E
-40E
Notes:
1. Contact Micron for industrial temperature
module offerings.
2. CL = CAS (READ) latency.
3. Not recommended for new designs.
Table 1: Key Timing Parameters
Speed
Grade
-80E
-800
-667
-53E
-40E
Industry
Nomenclature
PC2-6400
PC2-6400
PC2-5300
PC2-4200
PC2-3200
CL = 6
800
800
Data Rate (MT/s)
CL = 5
CL = 4
800 533
667 533
667 553
553
400
CL = 3
400
400
400
400
400
tRCD
(ns)
12.5
15
15
15
15
tRP
(ns)
12.5
15
15
15
15
tRC
(ns)
55
55
55
55
55
PDF: 09005aef818e4054
htf16c128_256x64h.pdf - Rev. D 3/10 EN
1 Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
© 2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.






MT16HTF12864HY Datasheet, Funktion
1GB, 2GB (x64, DR) 200-Pin DDR2 SDRAM SODIMM
Functional Block Diagram
Functional Block Diagram
Figure 2: Functional Block Diagram
S1#
S0#
DQS0#
DQS0
DM0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQS1#
DQS1
DM1
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQS2#
DQS2
DM2
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQS3#
DQS3
DM3
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DM
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
CS# DQS DQS#
U2
DM
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
CS# DQS DQS#
U14
DM
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
CS# DQS DQS#
U6
DM
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
CS# DQS DQS#
U18
DM
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
CS# DQS DQS#
U3
DM
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
CS# DQS DQS#
U13
DM
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
CS# DQS DQS#
U7
DM
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
CS# DQS DQS#
U17
DQS4#
DQS4
DM4
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQS5#
DQS5
DM5
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQS6#
DQS6
DM6
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQS7#
DQS7
DM7
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
U4
DQ
DQ
DQ
DQ
DM
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
CS# DQS
U12
DQS#
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
U8
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
U16
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
U5
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
U11
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
U9
DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ
DQ
DQ
U15
DQ
DQ
DQ
DQ
BA[2/1:0]
A[13:0]
RAS#
CAS#
WE#
CKE0
CKE1
ODT0
ODT1
BA[2/1:0]: DDR2 SDRAM
A[13:0]: DDR2 SDRAM
RAS#: DDR2 SDRAM
CAS#: DDR2 SDRAM
WE#: DDR2 SDRAM
CKE0: Rank 0
CKE1: Rank 1
ODT0: Rank 0
ODT1: Rank 1
SCL
VDDSPD
VDD
VREF
VSS
U1
SPD EEPROM
WP A0 A1 A2
SDA
SA0 SA1 VSS
SPD EEPROM
DDR2 SDRAM
DDR2 SDRAM
DDR2 SDRAM, EEPROM
Rank 0 = U2–U9
Rank 1 = U11–U18
CK0
CK0#
U2, U3, U6, U7
U13, U14, U17, U18
CK1
CK1#
U4, U5, U8, U9
U11, U12, U15, U16
PDF: 09005aef818e4054
htf16c128_256x64h.pdf - Rev. D 3/10 EN
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MT16HTF12864HY pdf, datenblatt
1GB, 2GB (x64, DR) 200-Pin DDR2 SDRAM SODIMM
IDD Specifications
Table 10: DDR2 IDD Specifications and Conditions – 2GB
Values shown for MT47H128M8 DDR2 SDRAM only and are computed from values specified in the 1Gb (128 Meg x 8) com-
ponent data sheet
Parameter
-80E/
Symbol -800 -667 -53E -40E Units
Operating one bank active-precharge current:tCK = tCK (IDD), tRC =
tRC (IDD), tRAS = tRAS MIN (IDD); CKE is HIGH, S# is HIGH between valid
commands; Address bus inputs are switching; Data bus inputs are switching
IDD01
776 735 616 616 mA
Operating one bank active-read-precharge current: IOUT = 0mA; BL =
4, CL = CL (IDD), AL = 0; tCK = tCK (IDD), tRC = tRC (IDD), tRAS = tRAS MIN
(IDD), tRCD = tRCD (IDD); CKE is HIGH, S# is HIGH between valid commands;
Address bus inputs are switching; Data pattern is same as IDD4W
IDD11
936 856 816 776 mA
Precharge power-down current: All device banks idle; tCK = tCK (IDD); IDD2P2 112 112 112 112 mA
CKE is LOW; Other control and address bus inputs are stable; Data bus in-
puts are floating
Precharge quiet standby current: All device banks idle; tCK = tCK (IDD); IDD2Q2 800 640 640 560 mA
CKE is HIGH, S# is HIGH; Other control and address bus inputs are stable;
Data bus inputs are floating
Precharge standby current: All device banks idle; tCK = tCK (IDD); CKE is IDD2N2 800 640 640 560 mA
HIGH, S# is HIGH; Other control and address bus inputs are switching; Da-
ta bus inputs are switching
Active power-down current: All device banks open; tCK Fast PDN exit IDD3P2 640 480 480 480 mA
= tCK (IDD); CKE is LOW; Other control and address bus in- MR[12] = 0
puts are stable; Data bus inputs are floating
Slow PDN exit
160 160 160 160
MR[12] = 1
Active standby current: All device banks open; tCK = tCK (IDD), tRAS =
IDD3N2 960 880 720 640 mA
tRAS MAX (IDD), tRP = tRP (IDD); CKE is HIGH, S# is HIGH between valid com-
mands; Other control and address bus inputs are switching; Data bus
inputs are switching
Operating burst write current: All device banks open; Continuous
burst writes; BL = 4, CL = CL (IDD), AL = 0; tCK = tCK (IDD), tRAS = tRAS MAX
(IDD), tRP = tRP (IDD); CKE is HIGH, S# is HIGH between valid commands;
Address bus inputs are switching; Data bus inputs are switching
IDD4W1
1336 1136 1056
896
mA
Operating burst read current: All device banks open; Continuous burst
read, IOUT = 0mA; BL = 4, CL = CL (IDD), AL = 0; tCK = tCK (IDD), tRAS = tRAS
MAX (IDD), tRP = tRP (IDD); CKE is HIGH, S# is HIGH between valid com-
mands; Address bus inputs are switching; Data bus inputs are switching
IDD4R1
1336 1136 1056
896
mA
Burst refresh current:tCK = tCK (IDD); REFRESH command at every tRFC
(IDD) interval; CKE is HIGH, S# is HIGH between valid commands; Other con-
trol and address bus inputs are switching; Data bus inputs are switching
IDD52
3760 3440 3360 3280 mA
Self refresh current: CK and CK# at 0V; CKE 0.2V; Other control and
address bus inputs are floating; Data bus inputs are floating
IDD62 112 112 112 112 mA
PDF: 09005aef818e4054
htf16c128_256x64h.pdf - Rev. D 3/10 EN
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Besondere Datenblatt

TeilenummerBeschreibungHersteller
MT16HTF12864HY1GB DDR2 SDRAM SODIMMMicron
Micron

TeilenummerBeschreibungHersteller
CD40175BC

Hex D-Type Flip-Flop / Quad D-Type Flip-Flop.

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
KTD1146

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR.

KEC
KEC


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