PDF AW8010A Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza	AW8010A
Descripción	Class D audio power amplifier
Fabricantes	AWINIC
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No Preview Available ! AW8010A 产品手册 2012 年 2 月 V1.1 专有 TDD 抑制、超低 EMI、单声道、D 类音频功率放大器特性概要 y 专有 RNS (RF-TDD Noise Suppression)技术 y EEE 技术，优异的全带宽 EMI 抑制能力 y 优异的“噼噗-咔嗒”（Pop-Click）杂音抑制 y 高 PSRR：-70dB（217Hz） y 支持 1.8V 控制逻辑 y 0.1%THD+N（0.4W 输出功率、4.2V 电源） y 1.15W 输出功率（10% THD、4.2V 电源、8Ω 负载） y 高达 90%的效率 y 低静态电流（2.6mA） y 低关断电流（<0.1μA） y 过流保护、过温保护 y ESD 保护：±8kV (HBM) y Latch-Up：±450mA y 纤小的 1.5mm×1.5mm FC-9 封装应用 AW8010A 是一款专有 TDD 抑制、超低 EMI、单声道、D 类音频功率放大器。AW8010A 采用艾为专有的 RNS（RF-TDD Noise Suppression）技术，有效抑制 TDD 噪声的产生。 AW8010A 采用专有的 EEE (Enhanced Emission Elimination) 技术，在全带宽范围内极大地降低了 EMI 干扰，对 60cm 的音频线，在 FCC 标准下具有超过 20dB 的裕量。 AW8010A 内置专有时序控制电路，实现全面的噼噗-咔嗒声抑制，有效地消除了系统在上电、下电、唤醒和关断操作时可能出现的瞬态噪声。 AW8010A 内置过流保护和过热保护功能，有效地保护芯片在异常工作状况下不被损坏。 AW8010A 提供纤小 1.5mm×1.5mm FC-9 封装，额定的工作温度范围为-40℃至 85℃。 y 手机 y PAD、GPS、MP3 y 便携式音频设备引脚分布及标识图图 1 AW8010A 引脚分布及标识图版权所有© 2011 上海艾为电子技术有限公司第 1 页共 20 页 1 page 电气特性 AW8010A 产品手册 2012 年 2 月 V1.1 测试条件：TA=25℃（除非特别说明）参数电学特性 VDD 电源电压 VIH SHUTDOWN 高电平输入 VIL \|VOS\| IQ ISD SHUTDOWN 低电平输入输出失调电压静态电流关断电流 PSRR CMRR fSW 电源抑制比共模抑制比调制频率 Gain 放大倍数工作特性 PO 输出功率 THD+N 总谐波失真+噪声 η 效率 tST 启动时间条件 VIN=0V，AV=2V/V，VDD=2.5V to 5.5V VDD=3.6V VDD=3.6V， SHUTDOWN =0V 217Hz VDD=2.5V to 5.5V 最小 2.5 1.3 0 THD+N=10%，f=1kHz，RL=4Ω，VDD=5V THD+N=1%，f=1kHz，RL=4Ω，VDD=5V THD+N=10%，f=1kHz，RL=8Ω，VDD=5V THD+N=1%，f=1kHz，RL=8Ω，VDD=5V THD+N=10%，f=1kHz，RL=4Ω，VDD=4.2V THD+N=1%，f=1kHz，RL=4Ω，VDD=4.2V THD+N=10%，f=1kHz，RL=8Ω，VDD=4.2V THD+N=1%，f=1kHz，RL=8Ω，VDD=4.2V THD+N=10%，f=1kHz，RL=4Ω，VDD=3.6V THD+N=1%，f=1kHz，RL=4Ω，VDD=3.6V THD+N=10%，f=1kHz，RL=8Ω，VDD=3.6V THD+N=1%，f=1kHz，RL=8Ω，VDD=3.6V VDD=5V，Po=0.6W，RL=8Ω，f=1kHz VDD=4.2V，Po=0.4W，RL=8Ω，f=1kHz VDD=3.6V，Po=0.3W，RL=8Ω，f=1kHz VDD=5V，Po=1W，RL=8Ω，f=1kHz 典型 5 2.6 0.1 -70 -70 800 315kΩ Rin 2.65 2.15 1.70 1.35 1.85 1.50 1.15 0.90 1.35 1.05 0.85 0.65 0.1 0.1 0.1 90 40 最大单位 5.5 VDD 0.35 25 V V V mV mA μA dB dB kHz V/V W W W W W W W W W W W W % % % % ms 版权所有© 2011 上海艾为电子技术有限公司第 5 页共 20 页 5 Page AW8010A 产品手册 2012 年 2 月 V1.1 工作原理 AW8010A 是一款专有 TDD 抑制、超低 EMI、单声道、D 类音频功率放大器。专有的 RNS（RF-TDD Noise Suppression）技术，对电话免提时电源传导和空间辐射形成的 RF 干扰有很强的抑制作用，可有效防止 TDD 噪声的产生。 AW8010A 采用专有的 EEE (Enhanced Emission Elimination) 技术，在全带宽范围内极大地降低了 EMI 干扰，对 60cm 的音频线，在 FCC 标准下具有超过 20dB 的裕量。 AW8010A 内置专有时序控制电路，实现全面的噼噗-咔嗒声抑制，有效地消除了系统在上电、下电、唤醒和关断操作时可能出现的瞬态噪声。 AW8010A 内置过流保护、过热保护功能，有效地保护芯片在异常工作状况下不被损坏，当异常条件消除后，AW8010A 自动恢复工作。 AW8010A 提供纤小 1.5mm×1.5mm FC-9 封装，额定的工作温度范围为-40℃至 85℃。 RNS（RF-TDD noise Suppression） TDD Noise 产生机理： GSM 蜂窝电话采用 TDMA（Time Division Multiple Access）时隙分享技术。时分多址把时间分割成周期性的帧，每一帧再分割成若干个时隙向基站发送信号，基站发向多个移动终端的信号也都按顺序安排在预定的时隙中传输。这其中每个 TDMA 帧含 8 个时隙，整个帧时长约为 4.615ms，每个时隙时长为 0.577ms。 GSM 制式的手机，RF 功率放大器每隔 4.615ms（217Hz）就会有一次讯号传输，讯号传输时会产生间歇的 Burst 电流和很强的电磁辐射。间歇的 Burst 电流会形成 217Hz 的电源波动；900MHz 或 1800MHz 的高频 RF 信号形成了 217Hz 的射频包络信号。217Hz 的电源波动会通过传导耦合到音频讯号通路中，而 217Hz 的射频包络信号则会通过辐射耦合到音频讯号通路，如果没有较好的防护机制，就会产生可听到的 TDD Noise，其中包括了 217Hz 噪声和 217Hz 的谐波噪声信号。 RNS 技术通过艾为特有的电路架构对传导和辐射的干扰进行了全面的抑制，有效提高对 TDD Noise 的抑制能力。传导噪声的抑制 RF 功率放大器工作时，以 217Hz 的频率从电池中抽取电流，由于电池有一定的内阻，会在电源上引起 217Hz 的电源纹波，电源纹波会通过音频功率放大器耦合到喇叭上。对电源波动的抑制能力取决于音频功率放大器的 PSRR。 PSRR = 20log( voutac vddac ) 版权所有© 2011 上海艾为电子技术有限公司第 11 页共 20 页 11 Page

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Número de pieza	Descripción	Fabricantes
AW8010	Class D audio power amplifier	AWINIC
AW8010A	Class D audio power amplifier	AWINIC

Número de pieza	Descripción	Fabricantes
SLA6805M	High Voltage 3 phase Motor Driver IC.	Sanken
SDC1742	12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.	Analog Devices

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