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PDF P0920BD Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza P0920BD
Descripción N-Channel Field Effect Transistor
Fabricantes NIKO-SEM 
Logotipo NIKO-SEM Logotipo



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NIKO-SEM
N-Channel Enhancement Mode
P0920BD
Field Effect Transistor
TO-252
Halogen-Free & Lead-Free
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
200V
0.42Ω
ID
9A
D
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Pulsed Drain Current1
Avalanche Current
Avalanche Energy
L = 2.8mH
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
VGS
ID
IDM
IAS
EAS
PD
Tj, Tstg
1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
LIMITS
±20
9
5
31
9
113
62.5
25
-55 to 150
UNITS
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATING
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
Junction-to-Case
RJC
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
TYPICAL
MAXIMUM
2
UNITS
°C / W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 25 °C, Unless Otherwise Noted)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
STATIC
LIMITS
UNIT
MIN TYP MAX
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
Drain-Source
On-State Resistance1
V(BR)DSS
VGS(th)
IGSS
IDSS
RDS(ON)
VGS = 0V, ID = 250A
VDS = VGS, ID = 250A
200
V
123
VDS = 0V, VGS = ±20V
±100 nA
VDS = 200V, VGS = 0V
VDS = 160V, VGS = 0V, TJ = 125 °C
1
A
10
VGS = 4.5V, ID = 4.5A
VGS = 10V, ID = 4.5A
0.35 0.48
Ω
0.33 0.42
REV 1.0
1
D-31-1

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
P0920BDN-Channel Field Effect TransistorNIKO-SEM
NIKO-SEM
P0920BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETUNIKC
UNIKC
P0920BTFN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorNIKO-SEM
NIKO-SEM

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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