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PDF KTD3055 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza KTD3055
Descripción Silicon NPN Power Transistors
Fabricantes Inchange Semiconductor　
Logotipo Inchange Semiconductor Logotipo



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No Preview Available ! KTD3055 Hoja de datos, Descripción, Manual

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
KTD3055
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 120V(Min)
·Complement to Type KTB2955
APPLICATIONS
·High power amplifier applications
·Recommended for 30~35W audio frequency amplifier output
stage application.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
120 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
120 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
5V
IC Collector Current-Continuous
10 A
IB Base Current
PC
Collector Power Dissipation
@TC=25℃
TJ Junction Temperature
1A
40 W
150 ℃
Tstg Storage Temperature
-55~150 ℃
isc website：www.iscsemi.com
1 isc & iscsemi is registered trademark

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
KTD3055TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTORKEC
KEC
KTD3055Silicon NPN Power TransistorsInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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