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Número de pieza | Si4606 | |
Descripción | N+P Complementary Enhancement MOSFET | |
Fabricantes | Nanxin | |
Logotipo | ||
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No Preview Available ! Features
·Low On resistance.
·+4.5V drive.
·RoHS compliant.
Si460N6+P Complementary Enhancement MOSFET
Si4606
Package Dimensions
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=250C
Parameter
Symbol
Conditions
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Drain Current (DC)
Drain Current (Pulse)
Allowable Power Dissipation
Total Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
PT
Tch
Tstg
PW≤10uS, duty cycle≤1%
Mounted on a ceramic board (1000mm2×0.8mm) 1unit
Mounted on a ceramic board (1000mm2×0.8mm)
Ratings
N-Ch P-Ch
30 -30
+20 +20
6.9 -6
30 -30
1.3 1.3
1.7 1.7
150
-55~+150
Unit
V
V
A
A
W
W
0C
0C
Pin Description
1
1 page Si4606
P-Channel Typical Characteristics at Ta=250C (Continues)
5
5 Page |
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PDF Descargar | [ Datasheet Si4606.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
Si4606 | N+P Complementary Enhancement MOSFET | Nanxin |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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