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PDF HG2N60 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza HG2N60
Descripción N-Channel Mosfet Transistor
Fabricantes Inchange Semiconductor 
Logotipo Inchange Semiconductor Logotipo



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INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel Mosfet Transistor
·FEATURES
·Drain Current –ID= 2A@ TC=25
·Drain Source Voltage-
: VDSS= 600V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 4.5Ω(Max)
·Avalanche Energy Specified
·Fast Switching
·Simple Drive Requirements
·DESCRITION
·High efficiency switch mode power supply.
Charger
UPS power supply.
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VDSS
Drain-Source Voltage
VGS Gate-Source Voltage-Continuous
ID Drain Current-Continuous
IDM Drain Current-Single Plused
PD Total Dissipation @TC=25
Tj Max. Operating Junction Temperature
Tstg Storage Temperature
isc Product Specification
HG2N60
VALUE
600
±30
2
6
50
150
-55~150
UNIT
V
V
A
A
W
isc websitewww.iscsemi.com
1 isc & iscsemi is registered trademark

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
HG2N60N-Channel Mosfet TransistorInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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