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PDF EMBA5N10A Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMBA5N10A
Descripción N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMBA5N10A Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
100V 
D
RDSON (MAX.) 
150mΩ 
ID  10A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=12A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
2013/10/8 
EMBA5N10A
LIMITS 
±20 
10 
7 
40 
12 
7.2 
3.6 
30 
12 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
4.2 
62.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMBA5N10A pdf
 
  Gate Charge Characteristics
10
  I D  = 10A
 8
 
 6
VD  S   = 50V 80V
 4
 
 2
 0
0
 
8 16
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
24
  EMBA5N10A
1500
1350
1200
1050
Capacitance Characteristics
f  =  1M Hz
V G  S  = 0 V
Ciss
900
750
600
450
300 Coss
150
0 Crss
32 0 20 40 60 80 100
VD  S ‐ D rainSource Voltage( V )
  M a x im u m  S a fe  O p e ra tin g  A re a
100
   1 0 R  D  S ( O  N )Lim it
 
 
1
100uS 10uS
1mS
D
1
C
10m
00mS
S
 
  0 .1
      V G   S   =   1 0 V
S in g le  P u lse
R    JC  =   4 . 2 ° C / W
  0 .0 1
    T C      =   2 5 ° C
1 10 100
  V D   S    ‐   D r a i n S o u r c e   V o l t a g e (   V   )
1000
Single Pulse Maximum Power Dissipation
3000 SRθi n JC g =le 4 P.2u Cl°s/eW
TC  = 25° C
2500
2000
1500
1000
500
0 0.01
0.1 1 10
Single Pulse Time( sec ) 
100
1000
  Transient Thermal Response Curve
 
  100
D=0.5
 
  0.2
  101 0.1
0.05
  0.02
  0.01
single pulse
  102
Note :
  1. RθJC(t)=4.2°C/W Max.
  2. Duty Cycle, D=t1/ t2
  3. TJM ‐ TC=PDM*RθJC(t)
PDM
t1
t2
  105 104 103 102 101 100 101
  t1,Time( sec )
 
 
 
 
 
2013/10/8 
p.5 

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMBA5N10AN-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMBA5N10CSField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMBA5N10GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMBA5N10VField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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