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PDF 2N5401 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 2N5401 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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 1. PNP, (-)150V, (-) 600mA, TO-92  Hay una vista previa y un enlace de descarga de 2N5401 (archivo pdf) en la parte inferior de esta página. Total 3 Páginas | ||
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2N5400 & 2N5401
Silicon NPN Transistor
General Purpose Amplifier
TO92 Type Package
Absolute Maximum Ratings:
Collector−Emitter
2N5400 . .
Voltage,
........
V. .C.E.O.
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120V
2N5401 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150V
Collector−Base
2N5400
Voltage,
........
V. .C.B.O.
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130V
2N5401 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160V
Emitter−Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mA
Total
DDeveircaeteDAisbsoipvaeti2o5n5(CTA.
=
..
+255C),
.......
.P.D.
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. . 625mW
5.0mW/5C
Total
DDeveircaeteDAisbsoipvaeti2o5n5(CTC.
=
..
.+.2.5.5.C.).,.P. D. .
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. . . . . . 1.5W
12.0mW/5C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −555 to +1505C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −555 to +1505C
Thermal Resistance, Junction to Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83.35C/W
Thermal Resistance, Junction to Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2005C/W
Electrical Characteristics: (TA = +255C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
OFF Characteristics
Collector−Emitter Breakdown Voltage
2N5400
V(BR)CEO IC = 1mA, IB = 0, Note 1
2N5401
Collector−Base Breakdown Voltage
2N5400
V(BR)CBO IC = 1005 A, IE = 0
2N5401
Emitter−Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
2N5400
V(BR)EBO
ICBO
IE = 105 A, IC = 0
VCB = 100V, IE = 0
2N5401
2N5400
2N5401
Emitter Cutoff Current
IEBO
VCB = 120V, IE = 0
VCB = 100V, IE = 0, TA = +1005C
VCB = 120V, IE = 0, TA = +1005C
VEB = 3V, IC = 0
Note 1. Pulse Test: Pulse Width = 3005 s, Duty Cycle = 2%.
Min Typ Max Unit
120 −
150 −
−
−
130 −
160 −
5−
−
−
−
− − 100
− − 50
− − 100
− − 50
− − 50
V
V
V
V
V
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 2N540 | Trans GP BJT NPN 80V 7A 3-Pin(2+Tab) TO-66 Sleeve |  New Jersey Semiconductor |
| 2N5400 | Amplifier Transistor |  ON Semiconductor |
| 2N5400 | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |  Samsung semiconductor |
| 2N5400 | PNP Silicon Expitaxial Planar Transistor for general purpose/ high voltage amplifier applications |  Semtech Corporation |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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