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Número de pieza | BUZ211 | |
Descripción | N-Channel MOSFET Transistor | |
Fabricantes | Inchange Semiconductor | |
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isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
BUZ211
DESCRIPTION
·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 0.8Ω(Max)
·SOA is Power Dissipation Limited
APPLICATIONS
designed for applications such as switching regulators,
switching converters, motor drivers,relay drivers and
drivers for high power bipolar switching transistors
requiring high speed and low gate drive power.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL ARAMETER
VALUE UNIT
VDSS
VGS
ID
Ptot
Tj
Tstg
Drain-Source Voltage (VGS=0)
500 V
Gate-Source Voltage
±20
V
Drain Current-continuous@ TC=37℃ 9 A
Total Dissipation@TC=25℃
125 W
Max. Operating Junction Temperature -55~150 ℃
Storage Temperature Range
-55~150 ℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case
MAX UNIT
1.0 ℃/W
isc website:www.iscsemi.cn
1 isc & iscsemi is registered trademark
PDF pdfFactory Pro
www.fineprint.cn
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PDF Descargar | [ Datasheet BUZ211.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
BUZ21 | SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) | Siemens Semiconductor Group |
BUZ21 | 19A/ 100V/ 0.100 Ohm/ N-Channel Power MOSFET | Intersil Corporation |
BUZ21 | SIPMOS Power Transistor | Infineon Technologies AG |
BUZ210 | (BUZ210 / BUZ211) Power Transistors | Siemens |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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