|
|
PDF BU103T Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | BU103T | |
| Descripción | NPN Transistor | |
| Fabricantes | Crystal Electronics | |
| Logotipo |  |
|
Hay una vista previa y un enlace de descarga de BU103T (archivo pdf) en la parte inferior de esta página. Total 3 Páginas | ||
|
No Preview Available !
BU103T
硅 NPN 大功率晶体管
* 主要用途 ：
电子镇流器、节能灯、充电器及各类功率开关电路。
* 主要特点：
硅三重扩散平面工艺、输出特性好、电流容量大。
* 封装形式：
TO-92
极限值：( Tc=25 ℃ )
参 数 名称
集电极－发射极击穿电压
集电极－基极击穿电压
发射极－基极击穿电压
最大集电极直流电流
最大耗散功率
最高结温
贮存温度
符号
BVCEO
BVCBO
BVEBO
Icm
Pcm
Tjm
Tstg
TO-92
1. 基极 2. 集电极 3. 发射极
BC
E
额定值
≥ 400
≥ 600
≥9
1.5
25
150
－ 55 ～ 150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
电特性： ( Tc=25 ℃ )
参数名称
集电极－发射极击穿电压
集电极－基极击穿电压
发射极－基极击穿电压
集电极－发射极反向漏电流
集电极－基极反向漏电流
发射极－基极反向漏电流
共发射极直流电流增益
集电极－发射极饱和压降
下降时间
特征频率
符号
BVCEO
BVCBO
BVEBO
ICEO
ICBO
IEBO
HFE
VCE (sat)
tf
fT
测试条件
IC=1mA；
IB=0
IC=1mA；
IE=0
IE=1mA；
IC=0
VCE=350V； IB=0
VCB=550V； IE=0
VEB=7V；
IC=0
VCE=5V； IC=0.2A
IC=1A； IB=0.5A
IC=1A；IB1=IB2=0.2A；VCE=300V
VCE=10V；IC=0.1A；f =1MHz
规范值
最小值 最大值
400
600
9
20
10
10
10 35
0.6
0.3
8
单位
V
V
V
uA
uA
uA
V
uS
MHz
深圳市晶导电子有限公司
1 page | ||
| Páginas | Total 3 Páginas | |
| PDF Descargar | [ Datasheet BU103T.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| BU103A | Silicon NPN Power Transistor |  Inchange Semiconductor |
| BU103T | NPN Transistor | Crystal Electronics |
| BU103T | NPN Transistor |  BrightMoon |
| BU103T | Bipolar Junction Transistor |  Jingdao |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares, |
| DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Buscar |