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Datasheet P1006BIS Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | P1006BIS | N-Channel Enhancement Mode MOSFET P1006BIS
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
60V 10mΩ @VGS = 10V
ID 66A
TO-251(IS)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Drain-Source Voltage
VDS 60
Gate-Source Voltage
VGS ±20
Continuous |
UNIKC |
P1006 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
P1006BD | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
UNIKC |
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P1006BT | N-Channel Field Effect Transistor |
NIKO-SEM |
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P1006BTF | N-Channel Field Effect Transistor |
NIKO-SEM |
Esta página es del resultado de búsqueda del P1006BIS. Si pulsa el resultado de búsqueda de P1006BIS se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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