Datasheet MTB09N06I3 Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	MTB09N06I3	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C912I3 Issued Date : 2015.05.30 Revised Date : 2015.06.01 Page No. : 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTB09N06I3 BVDSS ID@VGS=10V, TC=25°C 60V 50A RDS(ON)@VGS=10V, ID=20A 7.6 mΩ(typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=20A 9.3 mΩ(typ) Features • Low On	CYStech Electronics

MTB09N0 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
MTB09N06FP	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C912FP Issued Date : 2016.02.19 Revised Date : Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTB09N06FP BVDSS ID @ VGS=10V, TC=25°C ID @ VGS=10V, TA=25°C RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=30A Features • Low Gate Charge • Simple Dri	Cystech Electonics
MTB09N06I3	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C912I3 Issued Date : 2015.05.30 Revised Date : 2015.06.01 Page No. : 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTB09N06I3 BVDSS ID@VGS=10V, TC=25°C 60V 50A RDS(ON)@VGS=10V, ID=20A 7.6 mΩ(typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=20A 9.3 mΩ(typ)	CYStech Electronics

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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