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Datasheet IXBN42N170A Equivalent ( PDF ) |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| 1 | IXBN42N170A | Monolithic Bipolar MOS Transistor Preliminary Technical Information
High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBN42N170A
VCES =
IC90 =
VCE(sat) tfi
≤ =
1700V
21A
6.0V 20ns
E
Symbol VCES VCGR VGES VGEM IC25 IICCM90 SSOA (RBSOA)
T(SSCC SOA)
PC TJ TJM Tstg VISOL
Md
Weight
Test Conditions
TC = 25 |
 IXYS |
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IXBN42N1 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| IXBN42N170A | Monolithic Bipolar MOS Transistor |
IXYS |
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[1]
nuevas actualizaciones
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
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