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Datasheet IXBF12N300 Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | IXBF12N300 | Monolithic Bipolar MOS Transistor High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
(Electrically Isolated Tab)
IXBF12N300
VCES = IC110 = VCE(sat) ≤
3000V 11A 3.2V
Symbol Test Conditions
VCES VCGR
VGES VGEM
IC25 IC110 ICM
SSOA (RBSOA)
TC = 25°C to 150°C TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ Continuous Transie |
IXYS |
IXBF12N Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
IXBF12N300 | Monolithic Bipolar MOS Transistor |
IXYS |
Esta página es del resultado de búsqueda del IXBF12N300. Si pulsa el resultado de búsqueda de IXBF12N300 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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