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Datasheet H5551 Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | H5551 | NPN SILICON TRANSISTOR N P N S I L I C O N T RAN S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
H5551
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AMPLIFIER TRANSISTOR
Collector-Emitter Voltage:Vceo=160V. CollectorDissipation:Pc(max)=625mW
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T stg ¡ ª Tj¡ª
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS£¨
Storage Temperature¡ - ¡ Junction Temperature¡ - |
SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES |
H5 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
H5TQ4G63AFR-xxC | 4Gb DDR3 SDRAM |
Hynix Semiconductor |
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H5PS5162GFR | 512Mb DDR2 SDRAM |
Hynix |
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H5TQ2G83CFR-xxC | 2Gb DDR3 SDRAM |
Hynix Semiconductor |
Esta página es del resultado de búsqueda del H5551. Si pulsa el resultado de búsqueda de H5551 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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