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Datasheet CEB09N7G Equivalent ( PDF )

N.º Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
1 CEB09N7G   N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CEP09N7G/CEB09N7G CEF09N7G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES Type CEP09N7G CEB09N7G CEF09N7G VDSS 700V 700V 700V RDS(ON) 1Ω 1Ω 1Ω ID 9A 9A 9A d @VGS 10V 10V 10V Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handin
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CEB09 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
CEB09N7G

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CEP09N7G/CEB09N7G CEF09N7G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES Type CEP09N7G CEB09N7G CEF09N7G VDSS 700V 700V 700V RDS(ON) 1Ω 1Ω 1Ω ID 9A 9A 9A d @VGS 10V 10V 10V Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High powe
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CEB09N7A

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CEP09N7A/CEB09N7A CEF09N7A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type CEP09N7A CEB09N7A CEF09N7A VDSS 700V 700V 700V RDS(ON) 1.2Ω 1.2Ω 1.2Ω ID 8A 8A 8A e @VGS 10V 10V 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current
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CEB09N6

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CEP09N6/CEB09N6 CEI09N6/CEF09N6 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type CEP09N6 CEB09N6 CEI09N6 CEF09N6 VDSS 600V 600V 600V 600V RDS(ON) 1.2Ω 1.2Ω 1.2Ω 1.2Ω ID 9A 9A 9A 9A e @VGS 10V 10V 10V 10V D Super high dense cell design for extremely low RD
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SPS122

Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.

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